Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (30492) > Сторінка 76 з 509

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 50 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 100 150 200 250 300 350 400 450 500 509  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40PS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R3-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 6505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.87 грн
10+59.74 грн
100+39.42 грн
500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 16712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.99 грн
10+82.91 грн
100+51.45 грн
500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.35 грн
10+75.37 грн
100+52.93 грн
500+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 75015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+73.78 грн
100+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R3-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 11543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.23 грн
10+147.17 грн
100+110.01 грн
500+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YL.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
на замовлення 29807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+106.95 грн
100+85.22 грн
500+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN026-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.08 грн
10+35.31 грн
100+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.23 грн
10+67.75 грн
100+45.16 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R3-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.44 грн
3000+24.28 грн
4500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 73500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R3-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.67 грн
3000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN026-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.54 грн
3000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YL.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.17 грн
3000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127 PSMN013-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100PS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100PS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.85 грн
3000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.71 грн
3000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.72 грн
3000+33.57 грн
4500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 12801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.02 грн
100+60.23 грн
500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.38 грн
10+51.81 грн
100+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 127291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.82 грн
10+72.04 грн
100+48.22 грн
500+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 24891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.41 грн
10+96.71 грн
100+73.28 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 40920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.30 грн
10+82.12 грн
100+55.35 грн
500+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVC164245DGG:11 74ALVC164245DGG:11 Nexperia USA Inc. 74ALVC164245.pdf Description: IC XLTR VL BIDIR 48-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: 48-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.5 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.5 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 7024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.26 грн
10+44.27 грн
25+39.95 грн
100+32.97 грн
250+30.81 грн
500+29.51 грн
1000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G157GW,125 74AUP1G157GW,125 Nexperia USA Inc. 74AUP1G157.pdf Description: IC MULTIPLEXER 1 X 2:1 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 6-TSSOP
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.30 грн
29+11.27 грн
32+9.96 грн
100+7.97 грн
250+7.32 грн
500+6.93 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74HC165PW,118 74HC165PW,118 Nexperia USA Inc. 74HC_HCT165.pdf Description: IC SHIFT REG COMP 8BIT 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Parallel or Serial to Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.60 грн
24+13.33 грн
27+11.84 грн
100+9.55 грн
250+8.79 грн
500+8.34 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
74HC377PW,118 74HC377PW,118 Nexperia USA Inc. 74HC_HCT377.pdf Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 83 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
14+22.69 грн
25+20.25 грн
100+16.51 грн
250+15.32 грн
500+14.59 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT4052D,118 74HCT4052D,118 Nexperia USA Inc. 74HC_HCT4052.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 2 150OHM 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 150Ohm
-3db Bandwidth: 180MHz
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±1V ~ 5V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 48ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2µA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.72 грн
13+26.26 грн
25+23.52 грн
100+19.19 грн
250+17.83 грн
500+17.01 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC4245APW,118 74LVC4245APW,118 Nexperia USA Inc. 74LVC4245A.pdf Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.5 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.5 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.26 грн
10+34.35 грн
25+30.88 грн
100+25.35 грн
250+23.63 грн
500+22.59 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,115 BAS316,115 Nexperia USA Inc. BAS316.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 83220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.06 грн
59+5.40 грн
100+3.30 грн
500+2.24 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70S,115 BAV70S,115 Nexperia USA Inc. BAV70S.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 250MA 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 17154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.83 грн
35+9.28 грн
100+7.02 грн
500+4.85 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99,235 BAV99,235 Nexperia USA Inc. BAV99.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 215MA TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 417586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.89 грн
54+5.95 грн
100+3.63 грн
500+2.47 грн
1000+2.16 грн
2000+1.90 грн
5000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW,115 BC847CW,115 Nexperia USA Inc. BC847XW_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 811611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.71 грн
52+6.19 грн
100+3.83 грн
500+2.61 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BCP52-16,115 BCP52-16,115 Nexperia USA Inc. BCP52_BCX52_BC52PA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.19 грн
21+15.79 грн
100+9.93 грн
500+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCP54-16,115 BCP54-16,115 Nexperia USA Inc. BCP54_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 960 mW
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.96 грн
17+19.76 грн
100+12.50 грн
500+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16,115 BCP56-16,115 Nexperia USA Inc. BCP56_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 40927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.96 грн
17+19.36 грн
100+12.27 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47,215 BCV47,215 Nexperia USA Inc. BCV47.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.66 грн
19+17.38 грн
100+10.94 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCX55-16,115 BCX55-16,115 Nexperia USA Inc. BCX55_SER.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.01 грн
19+16.74 грн
100+10.52 грн
500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56-10,115 BCX56-10,115 Nexperia USA Inc. BCX56_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.84 грн
19+16.82 грн
100+10.60 грн
500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Nexperia USA Inc. BSH103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.36 грн
19+17.30 грн
100+10.21 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C12,115 BZV55-C12,115 Nexperia USA Inc. BZV55_SER.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW LLDS
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: LLDS; MiniMelf
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 29979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
62+5.16 грн
131+2.44 грн
500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C15,113 BZX79-C15,113 Nexperia USA Inc. BZX79.pdf Description: DIODE ZENER 15V 400MW ALF2
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: ALF2
Part Status: Active
Power - Max: 400 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 10.5 V
на замовлення 18705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
75+4.28 грн
174+1.82 грн
500+1.59 грн
1000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4794BT,118 HEF4794BT,118 Nexperia USA Inc. HEF4794B.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Frequency: 28MHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 40mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 15V
Part Status: Active
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.99 грн
10+72.52 грн
25+65.79 грн
100+54.78 грн
250+51.47 грн
500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMBD7000,235 PMBD7000,235 Nexperia USA Inc. PMBD7000.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 215MA TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 100 V
на замовлення 37598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
77+4.13 грн
100+3.94 грн
500+2.68 грн
1000+1.89 грн
2000+1.70 грн
5000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551,215 PMBT5551,215 Nexperia USA Inc. PMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.65 грн
35+9.12 грн
100+5.66 грн
500+3.89 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2010EA,115 PMEG2010EA,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010EA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.07 грн
23+14.28 грн
100+10.64 грн
500+7.40 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PSSI2021SAY,115 PSSI2021SAY,115 Nexperia USA Inc. PSSI2021SAY.pdf Description: IC CURRENT SOURCE 5TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Source
Voltage - Input: 75V
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.25 грн
22+15.07 грн
25+13.42 грн
100+10.81 грн
250+9.97 грн
500+9.46 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Nexperia USA Inc. PUMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 33400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.30 грн
32+10.08 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD3,115 PUMD3,115 Nexperia USA Inc. PUMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 215113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.30 грн
32+10.08 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD6,115 PUMD6,115 Nexperia USA Inc. PUMD6.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
31+10.55 грн
100+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH11,115 PUMH11,115 Nexperia USA Inc. PUMH11.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 18620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
30+10.63 грн
100+6.59 грн
500+4.53 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS.pdf
PSMN4R5-40PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL.pdf
PSMN2R0-30PL,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS.pdf
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 6505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.87 грн
10+59.74 грн
100+39.42 грн
500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 16712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.99 грн
10+82.91 грн
100+51.45 грн
500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.35 грн
10+75.37 грн
100+52.93 грн
500+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 75015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.75 грн
10+73.78 грн
100+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 11543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.23 грн
10+147.17 грн
100+110.01 грн
500+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL.pdf
PSMN1R2-25YL,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
на замовлення 29807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.01 грн
10+106.95 грн
100+85.22 грн
500+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.08 грн
10+35.31 грн
100+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
PSMN013-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.23 грн
10+67.75 грн
100+45.16 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS.pdf
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.44 грн
3000+24.28 грн
4500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 73500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+83.67 грн
3000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+20.54 грн
3000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL.pdf
PSMN1R2-25YL,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
PSMN013-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.17 грн
3000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60PS.pdf
PSMN7R6-60PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127 PSMN013-100PS.pdf
PSMN013-100PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100PS.pdf
PSMN5R6-100PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
PSMN5R5-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
PSMN012-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+47.85 грн
3000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.71 грн
3000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.72 грн
3000+33.57 грн
4500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 12801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.01 грн
10+89.02 грн
100+60.23 грн
500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
PSMN012-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.38 грн
10+51.81 грн
100+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 127291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.82 грн
10+72.04 грн
100+48.22 грн
500+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
PSMN5R5-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 24891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.41 грн
10+96.71 грн
100+73.28 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 40920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.30 грн
10+82.12 грн
100+55.35 грн
500+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVC164245DGG:11 74ALVC164245.pdf
74ALVC164245DGG:11
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC XLTR VL BIDIR 48-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: 48-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.5 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.5 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 7024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.26 грн
10+44.27 грн
25+39.95 грн
100+32.97 грн
250+30.81 грн
500+29.51 грн
1000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G157GW,125 74AUP1G157.pdf
74AUP1G157GW,125
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC MULTIPLEXER 1 X 2:1 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 6-TSSOP
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.30 грн
29+11.27 грн
32+9.96 грн
100+7.97 грн
250+7.32 грн
500+6.93 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74HC165PW,118 74HC_HCT165.pdf
74HC165PW,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC SHIFT REG COMP 8BIT 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Parallel or Serial to Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.60 грн
24+13.33 грн
27+11.84 грн
100+9.55 грн
250+8.79 грн
500+8.34 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
74HC377PW,118 74HC_HCT377.pdf
74HC377PW,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 83 MHz
Input Capacitance: 3.5 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.78 грн
14+22.69 грн
25+20.25 грн
100+16.51 грн
250+15.32 грн
500+14.59 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT4052D,118 74HC_HCT4052.pdf
74HCT4052D,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC SWITCH SP4T X 2 150OHM 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 150Ohm
-3db Bandwidth: 180MHz
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±1V ~ 5V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 48ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2µA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.72 грн
13+26.26 грн
25+23.52 грн
100+19.19 грн
250+17.83 грн
500+17.01 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC4245APW,118 74LVC4245A.pdf
74LVC4245APW,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.5 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.5 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.26 грн
10+34.35 грн
25+30.88 грн
100+25.35 грн
250+23.63 грн
500+22.59 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,115 BAS316.pdf
BAS316,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 83220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.06 грн
59+5.40 грн
100+3.30 грн
500+2.24 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70S,115 BAV70S.pdf
BAV70S,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARRAY GP 100V 250MA 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 17154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.83 грн
35+9.28 грн
100+7.02 грн
500+4.85 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99,235 BAV99.pdf
BAV99,235
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 100V 215MA TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 417586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.89 грн
54+5.95 грн
100+3.63 грн
500+2.47 грн
1000+2.16 грн
2000+1.90 грн
5000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW,115 BC847XW_SER.pdf
BC847CW,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 811611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.71 грн
52+6.19 грн
100+3.83 грн
500+2.61 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BCP52-16,115 BCP52_BCX52_BC52PA.pdf
BCP52-16,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.19 грн
21+15.79 грн
100+9.93 грн
500+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCP54-16,115 BCP54_SER.pdf
BCP54-16,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 960 mW
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.96 грн
17+19.76 грн
100+12.50 грн
500+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16,115 BCP56_SER.pdf
BCP56-16,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 40927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.96 грн
17+19.36 грн
100+12.27 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47,215 BCV47.pdf
BCV47,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.66 грн
19+17.38 грн
100+10.94 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCX55-16,115 BCX55_SER.pdf
BCX55-16,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.01 грн
19+16.74 грн
100+10.52 грн
500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56-10,115 BCX56_SER.pdf
BCX56-10,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.84 грн
19+16.82 грн
100+10.60 грн
500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103.pdf
BSH103,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.36 грн
19+17.30 грн
100+10.21 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C12,115 BZV55_SER.pdf
BZV55-C12,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 12V 500MW LLDS
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: LLDS; MiniMelf
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 29979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
62+5.16 грн
131+2.44 грн
500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C15,113 BZX79.pdf
BZX79-C15,113
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 15V 400MW ALF2
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: ALF2
Part Status: Active
Power - Max: 400 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 10.5 V
на замовлення 18705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
75+4.28 грн
174+1.82 грн
500+1.59 грн
1000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4794BT,118 HEF4794B.pdf
HEF4794BT,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Frequency: 28MHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 40mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 15V
Part Status: Active
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.99 грн
10+72.52 грн
25+65.79 грн
100+54.78 грн
250+51.47 грн
500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMBD7000,235 PMBD7000.pdf
PMBD7000,235
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 100V 215MA TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 100 V
на замовлення 37598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
77+4.13 грн
100+3.94 грн
500+2.68 грн
1000+1.89 грн
2000+1.70 грн
5000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551,215 PMBT5551.pdf
PMBT5551,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.65 грн
35+9.12 грн
100+5.66 грн
500+3.89 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2010EA,115 PMEG2010EA.pdf
PMEG2010EA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.07 грн
23+14.28 грн
100+10.64 грн
500+7.40 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PSSI2021SAY,115 PSSI2021SAY.pdf
PSSI2021SAY,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC CURRENT SOURCE 5TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Source
Voltage - Input: 75V
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.25 грн
22+15.07 грн
25+13.42 грн
100+10.81 грн
250+9.97 грн
500+9.46 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13.pdf
PUMD13,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 33400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.30 грн
32+10.08 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD3,115 PUMD3.pdf
PUMD3,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 215113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.30 грн
32+10.08 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD6,115 PUMD6.pdf
PUMD6,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
31+10.55 грн
100+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH11,115 PUMH11.pdf
PUMH11,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 18620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
30+10.63 грн
100+6.59 грн
500+4.53 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 50 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 100 150 200 250 300 350 400 450 500 509  [ Наступна Сторінка >> ]