| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSR19A,215 | NEXPERIA |
BSR19A.215 NPN SMD transistors |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR33,115 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC62; SOT89 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR41,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 2A Current gain: 30...300 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR43,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138AKAR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138BK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS138BKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 671 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138BKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.31W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138P,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS138PS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2947 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS63,215 | NEXPERIA |
BSS63.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS84,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS84AKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.1A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84AKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS87,115 | NEXPERIA |
BSS87.115 SMD N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BST39,115 | NEXPERIA |
BST39.115 NPN SMD transistors |
на замовлення 885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BST50,115 | NEXPERIA |
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BST51,115 | NEXPERIA |
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BST52,115 | NEXPERIA |
BST52.115 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BST62,115 | NEXPERIA |
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors |
на замовлення 286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BST82,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSV52,215 | NEXPERIA |
BSV52.215 NPN SMD transistors |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK4D38-20PX | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 19W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | NEXPERIA |
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUK6Y14-40PX | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: -257A Drain current: -46A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 64nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 110W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK78150-55A/CUF | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 278mΩ Drain current: 3.8A Power dissipation: 8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3082 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK78150-55A/CUX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 278mΩ Drain current: 3.8A Power dissipation: 8W Pulsed drain current: 22A Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M33-60EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.9nC On-state resistance: 74mΩ Drain current: 17A Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 98A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56.4A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 28.1nC Pulsed drain current: 319A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 259A Drain current: 46A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 35.1mΩ Power dissipation: 147W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y72-80EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 63A Drain current: 11A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 9.8nC On-state resistance: 181mΩ Power dissipation: 45W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y7R0-40HX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 272A Drain current: 48A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 26nC On-state resistance: 13.6mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y7R6-40EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 56A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 26.2nC On-state resistance: 7.6mΩ Power dissipation: 94.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y8R7-60EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 347A Drain current: 61A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 46nC On-state resistance: 19.5mΩ Power dissipation: 147W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9616-75B,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC On-state resistance: 34mΩ Gate-source voltage: ±15V Drain current: 47A Drain-source voltage: 75V Power dissipation: 157W Pulsed drain current: 270A Case: D2PAK; SOT404 Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 724 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9640-100A,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 159A Power dissipation: 158W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUK98150-55A/CUF | NEXPERIA |
BUK98150-55A/CUF SMD N channel transistors |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUK98180-100A/CUX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 18A; 8W; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 8W Case: SC73; SOT223 On-state resistance: 389mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 502 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUK9832-55A/CUX | NEXPERIA |
BUK9832-55A/CUX SMD N channel transistors |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK9875-100A/CUX | NEXPERIA |
BUK9875-100A/CUX SMD N channel transistors |
на замовлення 898 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK9880-55A/CUX | NEXPERIA |
BUK9880-55A/CUX SMD N channel transistors |
на замовлення 979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK9K45-100E,115 | NEXPERIA |
BUK9K45-100E.115 Multi channel transistors |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | NEXPERIA |
BUK9M24-40EX SMD N channel transistors |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | NEXPERIA |
BUK9M28-80EX SMD N channel transistors |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 184A Drain current: 46A Drain-source voltage: 55V Gate charge: 18nC On-state resistance: 17.3mΩ Power dissipation: 85W Gate-source voltage: ±15V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y19-75B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 192A Drain current: 34.1A Drain-source voltage: 75V Gate charge: 30nC On-state resistance: 48mΩ Power dissipation: 106W Gate-source voltage: ±15V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BZA456A,115 | NEXPERIA |
BZA456A.115 Protection diodes - arrays |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BZA856A,115 | NEXPERIA |
BZA856A.115 Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BZB784-C12,115 | NEXPERIA |
BZB784-C12.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BZB784-C15,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.35W; 15V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.35W Zener voltage: 15V Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Max. load current: 0.2A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZB784-C3V3,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.35W; 3.3V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.35W Zener voltage: 3.3V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 5µA Max. load current: 0.2A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZB784-C3V9,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.35W; 3.8V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.35W Zener voltage: 3.8V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 3µA Max. load current: 0.2A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BZB784-C4V7,115 | NEXPERIA |
BZB784-C4V7.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BZB784-C5V1,115 | NEXPERIA |
BZB784-C5V1.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BZB784-C5V6,115 | NEXPERIA |
BZB784-C5V6.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BZB784-C6V2,115 | NEXPERIA |
BZB784-C6V2.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BZB784-C6V8,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.35W; 6.8V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.35W Zener voltage: 6.8V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 2µA Max. load current: 0.2A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BZB84-B11,215 | NEXPERIA |
BZB84-B11.215 SMD Zener diodes |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BSR19A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR19A.215 NPN SMD transistors
BSR19A.215 NPN SMD transistors
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.52 грн |
| 122+ | 9.41 грн |
| 335+ | 8.93 грн |
| BSR33,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.40 грн |
| 10+ | 90.90 грн |
| 100+ | 49.78 грн |
| BSR41,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 2A
Current gain: 30...300
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 2A
Current gain: 30...300
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.28 грн |
| 10+ | 62.38 грн |
| 100+ | 43.47 грн |
| BSR43,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.79 грн |
| 10+ | 38.90 грн |
| 50+ | 29.21 грн |
| BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 30+ | 10.08 грн |
| 50+ | 7.47 грн |
| BSS138AKAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 17.47 грн |
| BSS138BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS138BKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 27+ | 11.39 грн |
| 39+ | 7.53 грн |
| 100+ | 6.32 грн |
| 250+ | 5.64 грн |
| 500+ | 5.21 грн |
| 1000+ | 4.95 грн |
| BSS138BKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.31W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 33+ | 9.17 грн |
| 53+ | 5.55 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 250+ | 4.18 грн |
| 500+ | 3.93 грн |
| 1000+ | 3.67 грн |
| BSS138P,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS138PS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 23+ | 13.60 грн |
| 35+ | 8.54 грн |
| 100+ | 7.28 грн |
| 250+ | 6.02 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 5.14 грн |
| BSS63,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS63.215 PNP SMD transistors
BSS63.215 PNP SMD transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.89 грн |
| 260+ | 4.42 грн |
| 713+ | 4.17 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 26+ | 11.69 грн |
| 38+ | 7.80 грн |
| 100+ | 6.32 грн |
| 250+ | 5.64 грн |
| 500+ | 5.21 грн |
| 1000+ | 4.95 грн |
| BSS84AKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 39+ | 7.86 грн |
| 58+ | 5.05 грн |
| 100+ | 3.76 грн |
| 250+ | 3.42 грн |
| 500+ | 3.16 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| BSS87,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS87.115 SMD N channel transistors
BSS87.115 SMD N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.59 грн |
| 77+ | 14.94 грн |
| 211+ | 14.17 грн |
| 1000+ | 14.11 грн |
| BST39,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST39.115 NPN SMD transistors
BST39.115 NPN SMD transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.82 грн |
| 54+ | 21.25 грн |
| 149+ | 20.09 грн |
| BST50,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.14 грн |
| 46+ | 25.23 грн |
| 125+ | 23.87 грн |
| BST51,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.14 грн |
| 62+ | 18.63 грн |
| 170+ | 17.56 грн |
| BST52,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST52.115 NPN SMD Darlington transistors
BST52.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.34 грн |
| 46+ | 24.94 грн |
| 126+ | 23.58 грн |
| BST62,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.52 грн |
| 49+ | 23.58 грн |
| 134+ | 22.32 грн |
| BST82,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.79 грн |
| 10+ | 52.20 грн |
| 100+ | 41.82 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSV52.215 NPN SMD transistors
BSV52.215 NPN SMD transistors
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.83 грн |
| 99+ | 11.64 грн |
| 271+ | 10.97 грн |
| BUK4D38-20PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.31 грн |
| 10+ | 40.01 грн |
| 100+ | 22.61 грн |
| BUK6D43-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.88 грн |
| 74+ | 15.53 грн |
| 204+ | 14.65 грн |
| BUK6Y14-40PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -257A
Drain current: -46A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -257A
Drain current: -46A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.86 грн |
| 10+ | 193.49 грн |
| 100+ | 126.15 грн |
| BUK78150-55A/CUF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 14+ | 21.77 грн |
| 100+ | 13.88 грн |
| BUK78150-55A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 18+ | 17.53 грн |
| 19+ | 15.72 грн |
| BUK7M33-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.84 грн |
| 10+ | 41.62 грн |
| 50+ | 33.19 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 28.1nC
Pulsed drain current: 319A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 28.1nC
Pulsed drain current: 319A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.64 грн |
| 10+ | 77.60 грн |
| 100+ | 66.96 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 259A
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 259A
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.58 грн |
| 10+ | 116.90 грн |
| 25+ | 96.07 грн |
| BUK7Y72-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 63A
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Power dissipation: 45W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 63A
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Power dissipation: 45W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 70.94 грн |
| 25+ | 58.32 грн |
| BUK7Y7R0-40HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 272A
Drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 13.6mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 272A
Drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 13.6mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.65 грн |
| 10+ | 154.18 грн |
| 100+ | 100.92 грн |
| BUK7Y7R6-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 26.2nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 94.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 26.2nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 94.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.89 грн |
| 10+ | 115.89 грн |
| 100+ | 100.92 грн |
| BUK7Y8R7-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 347A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 347A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.29 грн |
| 10+ | 239.84 грн |
| 100+ | 164.00 грн |
| BUK9616-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 34mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 157W
Pulsed drain current: 270A
Case: D2PAK; SOT404
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 34mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 157W
Pulsed drain current: 270A
Case: D2PAK; SOT404
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.86 грн |
| 5+ | 219.69 грн |
| 25+ | 187.29 грн |
| BUK9640-100A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.41 грн |
| 10+ | 257.98 грн |
| 100+ | 223.19 грн |
| BUK98150-55A/CUF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK98150-55A/CUF SMD N channel transistors
BUK98150-55A/CUF SMD N channel transistors
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.11 грн |
| 63+ | 18.24 грн |
| 173+ | 17.27 грн |
| BUK98180-100A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 18A; 8W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 8W
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 389mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 18A; 8W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 8W
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 389mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.55 грн |
| 10+ | 65.30 грн |
| 50+ | 52.01 грн |
| BUK9832-55A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK9832-55A/CUX SMD N channel transistors
BUK9832-55A/CUX SMD N channel transistors
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.17 грн |
| 32+ | 36.10 грн |
| 88+ | 34.06 грн |
| BUK9875-100A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK9875-100A/CUX SMD N channel transistors
BUK9875-100A/CUX SMD N channel transistors
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.57 грн |
| 42+ | 27.75 грн |
| 114+ | 26.20 грн |
| BUK9880-55A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK9880-55A/CUX SMD N channel transistors
BUK9880-55A/CUX SMD N channel transistors
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.70 грн |
| 54+ | 21.54 грн |
| 147+ | 20.28 грн |
| BUK9K45-100E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK9K45-100E.115 Multi channel transistors
BUK9K45-100E.115 Multi channel transistors
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.99 грн |
| 16+ | 73.57 грн |
| 43+ | 69.56 грн |
| BUK9M24-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK9M24-40EX SMD N channel transistors
BUK9M24-40EX SMD N channel transistors
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.14 грн |
| 72+ | 16.01 грн |
| 197+ | 15.14 грн |
| BUK9M28-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK9M28-80EX SMD N channel transistors
BUK9M28-80EX SMD N channel transistors
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.43 грн |
| 30+ | 38.43 грн |
| 82+ | 36.29 грн |
| BUK9Y19-55B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 184A
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 17.3mΩ
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 184A
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 17.3mΩ
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.99 грн |
| 10+ | 91.00 грн |
| 50+ | 72.68 грн |
| BUK9Y19-75B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 192A
Drain current: 34.1A
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 192A
Drain current: 34.1A
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.01 грн |
| 10+ | 151.16 грн |
| 100+ | 130.04 грн |
| BZA456A,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZA456A.115 Protection diodes - arrays
BZA456A.115 Protection diodes - arrays
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.22 грн |
| 124+ | 9.22 грн |
| 341+ | 8.73 грн |
| BZA856A,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZA856A.115 Protection diodes - arrays
BZA856A.115 Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.01 грн |
| 132+ | 8.64 грн |
| 363+ | 8.25 грн |
| BZB784-C12,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZB784-C12.115 SMD Zener diodes
BZB784-C12.115 SMD Zener diodes
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 10.85 грн |
| 100+ | 6.80 грн |
| 265+ | 4.33 грн |
| 728+ | 4.09 грн |
| BZB784-C15,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 15V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 15V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 15V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 15V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50nA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 38+ | 7.69 грн |
| 100+ | 6.02 грн |
| 250+ | 4.54 грн |
| 500+ | 4.04 грн |
| 1000+ | 3.79 грн |
| BZB784-C3V3,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 3.3V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 3.3V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.51 грн |
| 90+ | 4.67 грн |
| 300+ | 3.97 грн |
| BZB784-C3V9,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 3.8V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 3.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 3µA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 3.8V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 3.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 3µA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 20+ | 15.52 грн |
| 23+ | 13.00 грн |
| BZB784-C4V7,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZB784-C4V7.115 SMD Zener diodes
BZB784-C4V7.115 SMD Zener diodes
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.02 грн |
| 100+ | 8.46 грн |
| 268+ | 4.27 грн |
| 735+ | 4.08 грн |
| BZB784-C5V1,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZB784-C5V1.115 SMD Zener diodes
BZB784-C5V1.115 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.75 грн |
| 265+ | 4.33 грн |
| 728+ | 4.09 грн |
| BZB784-C5V6,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZB784-C5V6.115 SMD Zener diodes
BZB784-C5V6.115 SMD Zener diodes
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 100+ | 9.27 грн |
| 268+ | 4.27 грн |
| 735+ | 4.08 грн |
| BZB784-C6V2,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZB784-C6V2.115 SMD Zener diodes
BZB784-C6V2.115 SMD Zener diodes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.17 грн |
| 336+ | 3.42 грн |
| 922+ | 3.23 грн |
| BZB784-C6V8,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 6.8V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 2µA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 6.8V; SMD; reel,tape; SOT323; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 2µA
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 14+ | 22.57 грн |
| 16+ | 18.34 грн |
| BZB84-B11,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BZB84-B11.215 SMD Zener diodes
BZB84-B11.215 SMD Zener diodes
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 8.13 грн |
| 374+ | 3.07 грн |
| 1027+ | 2.90 грн |




















