| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH108,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3048 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSH111BKR | NEXPERIA |
BSH111BKR SMD N channel transistors |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSH201,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A Power dissipation: 0.17W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSH203,215 | NEXPERIA |
BSH203.215 SMD P channel transistors |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSH205G2R | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 0.6Ω Power dissipation: 0.89W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSN20BKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 402mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3947 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP122,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±2V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 628 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP126,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP19,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.2W Current gain: 40 Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Frequency: 70MHz Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP220,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A Power dissipation: 1.5W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP225,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A Power dissipation: 1.5W On-state resistance: 15Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP250,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Type of transistor: P-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.65W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP31,115 | NEXPERIA |
BSP31.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 1856 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP50,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SC73; SOT223 Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 1k Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP52,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 1k Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP60,115 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SC73; SOT223 Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Collector-emitter voltage: 45V Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 839 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP61,115 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP62,115 | NEXPERIA |
BSP62.115 PNP SMD Darlington transistors |
на замовлення 542 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP89,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.375A Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 654 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR14,215 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR16,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Pulsed collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 50...300 Frequency: 200MHz Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA |
BSR19A.215 NPN SMD transistors |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA |
BSR33.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR41,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Frequency: 100MHz Case: SC62; SOT89 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR43,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23803 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138AKAR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Gate charge: 0.51nC Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 13Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS138BK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS138BKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W On-state resistance: 6.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138BKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 3.2Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138P,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS138PS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.42W Pulsed drain current: 1.2A On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS63,215 | NEXPERIA |
BSS63.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS84,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.12A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS84AKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -100mA Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84AKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS87,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.58W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BST39,115 | NEXPERIA |
BST39.115 NPN SMD transistors |
на замовлення 885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BST50,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 45V Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BST51,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Kind of transistor: Darlington Type of transistor: NPN Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 200MHz Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BST52,115 | NEXPERIA |
BST52.115 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BST62,115 | NEXPERIA |
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors |
на замовлення 286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BST82,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSV52,215 | NEXPERIA |
BSV52.215 NPN SMD transistors |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK4D38-20PX | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 19W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | NEXPERIA |
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUK6Y14-40PX | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: -257A Drain current: -46A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 64nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 110W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK78150-55A/CUF | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 278mΩ Drain current: 3.8A Power dissipation: 8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3093 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK78150-55A/CUX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 278mΩ Drain current: 3.8A Power dissipation: 8W Pulsed drain current: 22A Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M33-60EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.9nC On-state resistance: 74mΩ Drain current: 17A Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 98A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56.4A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 28.1nC Pulsed drain current: 319A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y14-80EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 35.1mΩ Drain current: 46A Power dissipation: 147W Pulsed drain current: 259A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y72-80EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 9.8nC On-state resistance: 181mΩ Drain current: 11A Power dissipation: 45W Pulsed drain current: 63A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y7R0-40HX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC On-state resistance: 13.6mΩ Drain current: 48A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 272A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y7R6-40EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 26.2nC On-state resistance: 7.6mΩ Drain current: 56A Power dissipation: 94.3W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK7Y8R7-60EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC On-state resistance: 19.5mΩ Drain current: 61A Power dissipation: 147W Pulsed drain current: 347A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9616-75B,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC On-state resistance: 34mΩ Gate-source voltage: ±15V Drain current: 47A Drain-source voltage: 75V Power dissipation: 157W Pulsed drain current: 270A Case: D2PAK; SOT404 Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9640-100A,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 159A Drain current: 28A Gate charge: 48nC On-state resistance: 0.1Ω Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 158W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 667 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK98150-55A/CUF | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 3A Drain-source voltage: 55V Gate charge: 5.3nC On-state resistance: 276mΩ Power dissipation: 8W Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 22A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.93 грн |
| 10+ | 31.37 грн |
| 12+ | 25.84 грн |
| BSH111BKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSH111BKR SMD N channel transistors
BSH111BKR SMD N channel transistors
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.37 грн |
| 259+ | 4.33 грн |
| 712+ | 4.09 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.75 грн |
| 12+ | 26.44 грн |
| 50+ | 18.34 грн |
| BSH203,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSH203.215 SMD P channel transistors
BSH203.215 SMD P channel transistors
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.12 грн |
| 40+ | 15.49 грн |
| 94+ | 11.97 грн |
| 258+ | 11.31 грн |
| BSH205G2R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.79 грн |
| 13+ | 24.27 грн |
| 50+ | 14.54 грн |
| 100+ | 11.78 грн |
| 171+ | 6.56 грн |
| 470+ | 6.18 грн |
| 9000+ | 5.89 грн |
| BSN20BKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.44 грн |
| 20+ | 14.80 грн |
| 24+ | 12.35 грн |
| 50+ | 8.59 грн |
| 100+ | 7.31 грн |
| 265+ | 4.21 грн |
| 729+ | 3.98 грн |
| BSP122,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.13 грн |
| 10+ | 39.07 грн |
| 50+ | 29.36 грн |
| 54+ | 20.71 грн |
| 149+ | 19.57 грн |
| 1000+ | 18.91 грн |
| BSP126,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.30 грн |
| 10+ | 45.68 грн |
| 25+ | 37.62 грн |
| 44+ | 25.84 грн |
| 119+ | 24.42 грн |
| 200+ | 24.04 грн |
| 500+ | 23.47 грн |
| BSP19,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Frequency: 70MHz
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Frequency: 70MHz
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.55 грн |
| 10+ | 41.34 грн |
| 50+ | 22.52 грн |
| 137+ | 21.28 грн |
| 500+ | 20.43 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.27 грн |
| 10+ | 61.56 грн |
| 38+ | 29.83 грн |
| 103+ | 28.22 грн |
| 2000+ | 27.17 грн |
| BSP225,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.11 грн |
| 10+ | 63.34 грн |
| 50+ | 42.75 грн |
| 100+ | 37.15 грн |
| 200+ | 32.78 грн |
| 500+ | 31.35 грн |
| BSP250,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.65W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.65W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 10+ | 48.54 грн |
| 50+ | 37.53 грн |
| BSP31,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP31.115 PNP SMD transistors
BSP31.115 PNP SMD transistors
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.89 грн |
| 49+ | 22.99 грн |
| 135+ | 21.66 грн |
| BSP50,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SC73; SOT223
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 1k
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SC73; SOT223
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 1k
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 102.31 грн |
| 10+ | 77.15 грн |
| 50+ | 58.43 грн |
| 100+ | 51.49 грн |
| 200+ | 44.56 грн |
| BSP52,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 1k
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 1k
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.11 грн |
| 10+ | 41.44 грн |
| 50+ | 30.31 грн |
| 68+ | 16.53 грн |
| 186+ | 15.68 грн |
| 3000+ | 15.20 грн |
| BSP60,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SC73; SOT223
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SC73; SOT223
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.20 грн |
| 10+ | 63.44 грн |
| 100+ | 40.66 грн |
| 250+ | 35.34 грн |
| 500+ | 32.02 грн |
| 1000+ | 29.26 грн |
| 2000+ | 28.31 грн |
| BSP61,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.18 грн |
| 10+ | 40.75 грн |
| 50+ | 28.41 грн |
| 55+ | 20.62 грн |
| 149+ | 19.57 грн |
| 500+ | 18.81 грн |
| BSP62,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP62.115 PNP SMD Darlington transistors
BSP62.115 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.60 грн |
| 67+ | 16.72 грн |
| 185+ | 15.87 грн |
| BSP89,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.13 грн |
| 10+ | 36.70 грн |
| 50+ | 28.03 грн |
| 53+ | 21.09 грн |
| 146+ | 19.86 грн |
| BSR14,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.25 грн |
| 10+ | 36.41 грн |
| 50+ | 24.99 грн |
| 100+ | 21.38 грн |
| 500+ | 15.11 грн |
| BSR16,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Pulsed collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Frequency: 200MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Pulsed collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Frequency: 200MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.97 грн |
| 11+ | 27.23 грн |
| 13+ | 22.99 грн |
| BSR19A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR19A.215 NPN SMD transistors
BSR19A.215 NPN SMD transistors
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.44 грн |
| 122+ | 9.22 грн |
| 335+ | 8.74 грн |
| BSR33,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR33.115 PNP SMD transistors
BSR33.115 PNP SMD transistors
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.18 грн |
| 75+ | 15.01 грн |
| 206+ | 14.25 грн |
| BSR41,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Frequency: 100MHz
Case: SC62; SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Frequency: 100MHz
Case: SC62; SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.60 грн |
| 10+ | 44.10 грн |
| 100+ | 30.78 грн |
| 250+ | 27.08 грн |
| 500+ | 24.61 грн |
| 1000+ | 22.33 грн |
| 2000+ | 20.43 грн |
| BSR43,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.97 грн |
| 12+ | 25.85 грн |
| 50+ | 19.38 грн |
| 74+ | 15.20 грн |
| 203+ | 14.35 грн |
| 500+ | 13.87 грн |
| BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.39 грн |
| 27+ | 11.25 грн |
| 50+ | 8.36 грн |
| BSS138AKAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS138BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS138BKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 6.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 6.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.28 грн |
| 16+ | 19.14 грн |
| 50+ | 11.69 грн |
| BSS138BKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 3.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 3.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.43 грн |
| 21+ | 14.11 грн |
| 50+ | 8.55 грн |
| BSS138P,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS138PS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.18 грн |
| 15+ | 20.82 грн |
| 50+ | 13.11 грн |
| BSS63,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS63.215 PNP SMD transistors
BSS63.215 PNP SMD transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.34 грн |
| 260+ | 4.32 грн |
| 713+ | 4.09 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.40 грн |
| 17+ | 17.46 грн |
| 50+ | 11.59 грн |
| BSS84AKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.65 грн |
| 30+ | 10.06 грн |
| 50+ | 6.46 грн |
| BSS87,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.58W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.58W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.60 грн |
| 15+ | 20.32 грн |
| 50+ | 14.63 грн |
| 77+ | 14.54 грн |
| 100+ | 13.21 грн |
| BST39,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST39.115 NPN SMD transistors
BST39.115 NPN SMD transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.77 грн |
| 54+ | 20.81 грн |
| 149+ | 19.67 грн |
| BST50,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.00 грн |
| 10+ | 33.05 грн |
| 61+ | 18.34 грн |
| 167+ | 17.39 грн |
| 3000+ | 17.29 грн |
| 5000+ | 16.72 грн |
| BST51,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.00 грн |
| 10+ | 33.35 грн |
| 62+ | 18.24 грн |
| 169+ | 17.20 грн |
| 500+ | 16.53 грн |
| BST52,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST52.115 NPN SMD Darlington transistors
BST52.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.35 грн |
| 46+ | 24.42 грн |
| 126+ | 23.09 грн |
| BST62,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.66 грн |
| 49+ | 23.09 грн |
| 134+ | 21.85 грн |
| BST82,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.19 грн |
| 42+ | 7.20 грн |
| 43+ | 6.75 грн |
| 45+ | 6.46 грн |
| 100+ | 6.27 грн |
| 184+ | 6.08 грн |
| 250+ | 5.89 грн |
| BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSV52.215 NPN SMD transistors
BSV52.215 NPN SMD transistors
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 43.89 грн |
| 99+ | 11.40 грн |
| 271+ | 10.74 грн |
| BUK4D38-20PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.09 грн |
| 10+ | 39.17 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| BUK6D43-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.63 грн |
| 74+ | 15.20 грн |
| 204+ | 14.35 грн |
| BUK6Y14-40PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -257A
Drain current: -46A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -257A
Drain current: -46A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.33 грн |
| 10+ | 94.71 грн |
| 50+ | 76.95 грн |
| 100+ | 73.15 грн |
| 200+ | 71.25 грн |
| BUK78150-55A/CUF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.31 грн |
| 13+ | 24.17 грн |
| 100+ | 15.39 грн |
| BUK78150-55A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.25 грн |
| 16+ | 19.44 грн |
| 17+ | 17.48 грн |
| BUK7M33-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.60 грн |
| 10+ | 40.75 грн |
| 50+ | 32.49 грн |
| BUK7M6R3-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 28.1nC
Pulsed drain current: 319A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 28.1nC
Pulsed drain current: 319A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.38 грн |
| 10+ | 75.97 грн |
| 100+ | 65.55 грн |
| BUK7Y14-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.41 грн |
| 10+ | 81.89 грн |
| 25+ | 67.45 грн |
| BUK7Y72-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 63A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 63A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.17 грн |
| 10+ | 49.63 грн |
| 25+ | 40.76 грн |
| BUK7Y7R0-40HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 13.6mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 13.6mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.17 грн |
| 10+ | 107.54 грн |
| 100+ | 70.30 грн |
| BUK7Y7R6-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.2nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 94.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.2nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 94.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.52 грн |
| 10+ | 80.90 грн |
| 100+ | 70.30 грн |
| BUK7Y8R7-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.88 грн |
| 10+ | 167.72 грн |
| 100+ | 114.96 грн |
| BUK9616-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 34mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 157W
Pulsed drain current: 270A
Case: D2PAK; SOT404
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 34mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 157W
Pulsed drain current: 270A
Case: D2PAK; SOT404
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.10 грн |
| 5+ | 119.38 грн |
| 25+ | 101.66 грн |
| BUK9640-100A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 159A
Drain current: 28A
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 0.1Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 158W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 159A
Drain current: 28A
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 0.1Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 158W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.52 грн |
| 10+ | 86.82 грн |
| 14+ | 79.80 грн |
| 39+ | 75.05 грн |
| 50+ | 72.20 грн |
| BUK98150-55A/CUF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 5.3nC
On-state resistance: 276mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 22A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 5.3nC
On-state resistance: 276mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 22A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.81 грн |
| 11+ | 28.71 грн |
| 50+ | 20.71 грн |
| 63+ | 17.86 грн |
| 172+ | 16.91 грн |





















