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Доступність |
Ціна |
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FDMA530PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 25V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA1029PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA420NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA530PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 25V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA8051L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA86151L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA430NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA507PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA86551L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA86265P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA86551L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA291P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 700mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA8051L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA291P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 700mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA510PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA410NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA410NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA86265P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA86151L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA6023PZT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 375297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA008P20LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 97904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDMA7628 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
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FDMA6023PZT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 AtariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: µFET Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id: 3.6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.4W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 375297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMA008P20LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 97904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81151MNTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81151MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 40ns In/30ns Out, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Quellstrom: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: DFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5 Eingabeverzögerung: 40 Ausgabeverzögerung: 30 Betriebstemperatur, max.: 100 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81151MNTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81151MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 40ns In/30ns Out, DFN-8tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCV2575D2T-12G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2575D2T-12G - NCV2575D2T-12G, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCV2575D2TADJR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2575D2TADJR4G - NCV2575D2TADJR4G, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCV2575D2T-ADJ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2575D2T-ADJ - REG MULT CONFIG INV ADJ D2PAKtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BD179G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SM15T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SM15T1G - TVS-Diode, SM15T, Unidirektional, 15 V, 24 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 16.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 19.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 300W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SM15T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 24V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SM15T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SM15T1G - TVS-Diode, SM15T, Unidirektional, 15 V, 24 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 16.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 19.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 300W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SM15T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 24V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD7C3.3DT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7C3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, TVS, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, ESD7CtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-723 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ESD7C productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 40119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SECO-RSL10-CAM-COLOR-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-CAM-COLOR-GEVK - Evaluationsboard, ARX3A0CSSM00SMD20/LE25U20AQGTXG/NCH-RSL10-101S51-ACG, Smart-Shot-Kamera tariffCode: 84715000 Prozessorkern: ARX3A0CSSM00SMD20, LE25U20AQGTXG, NCH-RSL10-101S51-ACG Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARX3A0 Color IAS-Modul, ARX3A0 Mono IAS-Modul, Basisplatine, Micro-USB-Kabel euEccn: NLR Unterart Anwendung: Smart-Shot-Kamera hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPS1M002PET | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPS1M002PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG - MOISTURE FCCtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPS1M001A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPS1M001A - SPS1M001 - FCC SENSOR - QC MOISTUREtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SPS1F001PET | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPS1F001PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG-FLUID LEVEL FCCtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SPS1T001PET | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPS1T001PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG-TEMPERATURE FCCtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
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MJD117-1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 153995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489MELG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489MELG - MC1489MELG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 146976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489ADG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489ADG - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAILtariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489ADR2G - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAILtariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489MEL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489MEL - MC1489MEL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489AMEL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489AMEL - MC1489AMEL, MOTOR DRIVERS / CONTROLLERStariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489MG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489MG - MC1489MG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489PG - DRIVER IC NUMBER OF DRIVERS:4tariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489AD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489AD - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAILtariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 16298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489DR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489DR2 - MC1489DR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489AMELG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489AMELG - MC1489AMELG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 89234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489MR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489MR1 - MC1489MR1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489AMR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489AMR2 - MC1489AMR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC1489M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC1489M - MC1489M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD7551N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7551N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, X2DFN, 2 Pin(s)tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: X2DFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 29760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD7551N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7551N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, X2DFN, 2 Pin(s)tariffCode: 85363010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 29760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZESD7451N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD7451N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, XDFN, 2 Pin(s), 3.3 V, 250 mW, SZESD7451tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: XDFN hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V Betriebsspannung: 3.3V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 250mW usEccn: EAR99 Produktpalette: SZESD7451 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZESD7451N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD7451N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, XDFN, 2 Pin(s), 3.3 V, 250 mW, SZESD7451tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: XDFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZESD7451 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81253MNTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 15ns Ausgabeverzögerung: 18ns Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STR-NCV8170-NCP170-EVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - STR-NCV8170-NCP170-EVK - STRATA ENABLED NCV8170 & NCP170 LDO EVBtariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCV8170AMX180TCG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCV8170AMX180TCG euEccn: NLR Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STR-NCP115-EVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - STR-NCP115-EVK - STRATA ENABLED NCP115 LDO EVBtariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCP115AMX330TBG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCP115AMX330TBG euEccn: NLR Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STR-NCV8163-NCP163-EVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - STR-NCV8163-NCP163-EVK - STRATA ENABLED NCV8163 & NCP163 LDO EVBtariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCV8163AMX280TBG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCV8163AMX280TBG euEccn: NLR Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDMA530PZ |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.70 грн |
| 500+ | 36.92 грн |
| 1000+ | 30.95 грн |
| 5000+ | 26.76 грн |
| FDMA1029PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 80.22 грн |
| 18+ | 49.81 грн |
| 100+ | 32.55 грн |
| 500+ | 28.33 грн |
| FDMA420NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.05 грн |
| 500+ | 28.66 грн |
| 1000+ | 21.27 грн |
| FDMA530PZ |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 104.06 грн |
| 13+ | 69.20 грн |
| 100+ | 50.70 грн |
| 500+ | 36.92 грн |
| 1000+ | 30.95 грн |
| 5000+ | 26.76 грн |
| FDMA8051L |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.10 грн |
| 500+ | 15.53 грн |
| 1000+ | 13.57 грн |
| FDMA86151L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 68.31 грн |
| 17+ | 53.28 грн |
| 100+ | 51.94 грн |
| 500+ | 46.08 грн |
| 1000+ | 39.64 грн |
| FDMA430NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.78 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| 1000+ | 29.43 грн |
| FDMA507PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.21 грн |
| 500+ | 37.91 грн |
| FDMA86551L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.83 грн |
| 500+ | 45.09 грн |
| 1500+ | 37.97 грн |
| FDMA86265P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.08 грн |
| 500+ | 45.75 грн |
| FDMA86551L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 81.20 грн |
| 50+ | 67.06 грн |
| 100+ | 52.83 грн |
| 500+ | 45.09 грн |
| 1500+ | 37.97 грн |
| FDMA291P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.17 грн |
| 500+ | 20.81 грн |
| FDMA8051L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 37.00 грн |
| 32+ | 28.64 грн |
| 100+ | 20.10 грн |
| 500+ | 15.53 грн |
| 1000+ | 13.57 грн |
| FDMA291P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 56.21 грн |
| 50+ | 44.38 грн |
| 100+ | 29.17 грн |
| 500+ | 20.81 грн |
| FDMA510PZ |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.18 грн |
| 500+ | 25.27 грн |
| 1500+ | 22.87 грн |
| FDMA410NZ |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 72.22 грн |
| 16+ | 56.83 грн |
| 100+ | 39.22 грн |
| 500+ | 30.89 грн |
| 1000+ | 27.83 грн |
| FDMA410NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.22 грн |
| 500+ | 30.89 грн |
| 1000+ | 27.83 грн |
| FDMA86265P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 91.61 грн |
| 50+ | 74.62 грн |
| 100+ | 58.08 грн |
| 500+ | 45.75 грн |
| FDMA86151L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.81 грн |
| 500+ | 40.39 грн |
| 1000+ | 35.91 грн |
| FDMA6023PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 375297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.12 грн |
| 500+ | 29.15 грн |
| 3000+ | 26.38 грн |
| FDMA008P20LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 97904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.23 грн |
| FDMA7628 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDMA6023PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 375297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 78.45 грн |
| 14+ | 67.42 грн |
| 100+ | 48.12 грн |
| 500+ | 29.15 грн |
| 3000+ | 26.38 грн |
| FDMA008P20LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 97904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 10.23 грн |
| NCP81151MNTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81151MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 40ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Eingabeverzögerung: 40
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - NCP81151MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 40ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Eingabeverzögerung: 40
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.98 грн |
| 25+ | 35.84 грн |
| 100+ | 23.84 грн |
| NCP81151MNTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81151MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 40ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - NCP81151MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 40ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.84 грн |
| NCV2575D2T-12G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2575D2T-12G - NCV2575D2T-12G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - NCV2575D2T-12G - NCV2575D2T-12G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 274.83 грн |
| NCV2575D2TADJR4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2575D2TADJR4G - NCV2575D2TADJR4G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - NCV2575D2TADJR4G - NCV2575D2TADJR4G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 274.83 грн |
| NCV2575D2T-ADJ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2575D2T-ADJ - REG MULT CONFIG INV ADJ D2PAK
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV2575D2T-ADJ - REG MULT CONFIG INV ADJ D2PAK
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 95.17 грн |
| BD179G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 32.11 грн |
| SM15T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SM15T1G - TVS-Diode, SM15T, Unidirektional, 15 V, 24 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 19.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SM15T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SM15T1G - TVS-Diode, SM15T, Unidirektional, 15 V, 24 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 19.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SM15T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 34.69 грн |
| 39+ | 23.04 грн |
| 100+ | 16.01 грн |
| 500+ | 11.07 грн |
| 1000+ | 7.70 грн |
| 5000+ | 6.75 грн |
| SM15T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SM15T1G - TVS-Diode, SM15T, Unidirektional, 15 V, 24 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 19.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SM15T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SM15T1G - TVS-Diode, SM15T, Unidirektional, 15 V, 24 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 19.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SM15T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.01 грн |
| 500+ | 11.07 грн |
| 1000+ | 7.70 грн |
| 5000+ | 6.75 грн |
| ESD7C3.3DT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7C3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, TVS, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, ESD7C
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD7C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD7C3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, TVS, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, ESD7C
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD7C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 27.66 грн |
| 36+ | 24.81 грн |
| 100+ | 21.97 грн |
| 500+ | 17.84 грн |
| 1000+ | 14.03 грн |
| 5000+ | 11.59 грн |
| SECO-RSL10-CAM-COLOR-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-CAM-COLOR-GEVK - Evaluationsboard, ARX3A0CSSM00SMD20/LE25U20AQGTXG/NCH-RSL10-101S51-ACG, Smart-Shot-Kamera
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: ARX3A0CSSM00SMD20, LE25U20AQGTXG, NCH-RSL10-101S51-ACG
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARX3A0 Color IAS-Modul, ARX3A0 Mono IAS-Modul, Basisplatine, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Smart-Shot-Kamera
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-CAM-COLOR-GEVK - Evaluationsboard, ARX3A0CSSM00SMD20/LE25U20AQGTXG/NCH-RSL10-101S51-ACG, Smart-Shot-Kamera
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: ARX3A0CSSM00SMD20, LE25U20AQGTXG, NCH-RSL10-101S51-ACG
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARX3A0 Color IAS-Modul, ARX3A0 Mono IAS-Modul, Basisplatine, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Smart-Shot-Kamera
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPS1M002PET |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPS1M002PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG - MOISTURE FCC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SPS1M002PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG - MOISTURE FCC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SPS1M001A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPS1M001A - SPS1M001 - FCC SENSOR - QC MOISTURE
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SPS1M001A - SPS1M001 - FCC SENSOR - QC MOISTURE
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 715.98 грн |
| SPS1F001PET |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPS1F001PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG-FLUID LEVEL FCC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SPS1F001PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG-FLUID LEVEL FCC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 517.64 грн |
| SPS1T001PET |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPS1T001PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG-TEMPERATURE FCC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SPS1T001PET - SMART PASSIVE SENSOR TAG-TEMPERATURE FCC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MJD117-1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 19.92 грн |
| MC1489MELG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489MELG - MC1489MELG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489MELG - MC1489MELG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 30.60 грн |
| MC1489ADG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489ADG - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAIL
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489ADG - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAIL
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 32.55 грн |
| MC1489ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489ADR2G - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAIL
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489ADR2G - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAIL
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 32.55 грн |
| MC1489MEL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489MEL - MC1489MEL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489MEL - MC1489MEL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 30.60 грн |
| MC1489AMEL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489AMEL - MC1489AMEL, MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489AMEL - MC1489AMEL, MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 31.49 грн |
| MC1489MG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489MG - MC1489MG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489MG - MC1489MG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1050+ | 30.60 грн |
| MC1489PG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489PG - DRIVER IC NUMBER OF DRIVERS:4
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489PG - DRIVER IC NUMBER OF DRIVERS:4
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 29.53 грн |
| MC1489AD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489AD - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAIL
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489AD - QUAD RECEIVER RS-232 14-PIN SOIC N RAIL
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 17.34 грн |
| MC1489DR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489DR2 - MC1489DR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489DR2 - MC1489DR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.99 грн |
| MC1489AMELG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489AMELG - MC1489AMELG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489AMELG - MC1489AMELG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 31.49 грн |
| MC1489MR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489MR1 - MC1489MR1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489MR1 - MC1489MR1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3206+ | 9.52 грн |
| MC1489AMR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489AMR2 - MC1489AMR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489AMR2 - MC1489AMR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3206+ | 9.52 грн |
| MC1489M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1489M - MC1489M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC1489M - MC1489M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1900+ | 16.19 грн |
| ESD7551N2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7551N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, X2DFN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - ESD7551N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, X2DFN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 33.09 грн |
| 37+ | 24.37 грн |
| 100+ | 12.45 грн |
| 500+ | 7.68 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| 2500+ | 3.81 грн |
| 8000+ | 3.05 грн |
| 16000+ | 2.82 грн |
| ESD7551N2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7551N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, X2DFN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - ESD7551N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, X2DFN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.68 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| 2500+ | 3.81 грн |
| 8000+ | 3.05 грн |
| 16000+ | 2.82 грн |
| SZESD7451N2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7451N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, XDFN, 2 Pin(s), 3.3 V, 250 mW, SZESD7451
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: XDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 250mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: SZESD7451
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SZESD7451N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, XDFN, 2 Pin(s), 3.3 V, 250 mW, SZESD7451
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: XDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 250mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: SZESD7451
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 29.53 грн |
| 36+ | 25.08 грн |
| 100+ | 19.21 грн |
| 500+ | 14.21 грн |
| 1000+ | 11.74 грн |
| 5000+ | 9.99 грн |
| SZESD7451N2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7451N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, XDFN, 2 Pin(s), 3.3 V, 250 mW, SZESD7451
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: XDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZESD7451
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SZESD7451N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 13 V, XDFN, 2 Pin(s), 3.3 V, 250 mW, SZESD7451
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: XDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZESD7451
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.21 грн |
| 500+ | 14.21 грн |
| 1000+ | 11.74 грн |
| 5000+ | 9.99 грн |
| NCP81253MNTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 18ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 18ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 72.31 грн |
| 17+ | 53.36 грн |
| 100+ | 38.60 грн |
| STR-NCV8170-NCP170-EVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STR-NCV8170-NCP170-EVK - STRATA ENABLED NCV8170 & NCP170 LDO EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCV8170AMX180TCG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCV8170AMX180TCG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - STR-NCV8170-NCP170-EVK - STRATA ENABLED NCV8170 & NCP170 LDO EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCV8170AMX180TCG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCV8170AMX180TCG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7347.43 грн |
| STR-NCP115-EVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STR-NCP115-EVK - STRATA ENABLED NCP115 LDO EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP115AMX330TBG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCP115AMX330TBG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - STR-NCP115-EVK - STRATA ENABLED NCP115 LDO EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP115AMX330TBG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCP115AMX330TBG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7347.43 грн |
| STR-NCV8163-NCP163-EVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STR-NCV8163-NCP163-EVK - STRATA ENABLED NCV8163 & NCP163 LDO EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCV8163AMX280TBG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCV8163AMX280TBG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - STR-NCV8163-NCP163-EVK - STRATA ENABLED NCV8163 & NCP163 LDO EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCV8163AMX280TBG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit NCV8163AMX280TBG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7347.43 грн |













