Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145327) > Сторінка 2370 з 2423

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2365 2366 2367 2368 2369 2370 2371 2372 2373 2374 2375 2420 2423  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AFGHL50T65SQ ONSEMI AFGHL50T65SQ-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD ONSEMI AFGHL50T65SQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC ONSEMI AFGHL50T65SQDC-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 119W
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S ONSEMI MB05S-MB10S%20N0529%20REV.C.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4 ONSEMI fghl75t65mqdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33153DR2G MC33153DR2G ONSEMI MC33153.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT gate driver; SO8; -2÷1A; 2÷13.9V; Ch: 1; 11÷20VDC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Output current: -2...1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Protection: over current OCP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Pulse fall time: 55ns
Output voltage: 2...13.9V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: IGBT gate driver
Number of channels: 1
Impulse rise time: 55ns
Supply voltage: 11...20V DC
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.50 грн
10+97.22 грн
25+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33153PG MC33153PG ONSEMI MC33153.PDF description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; IGBT gate driver; DIP8; -2÷1A; 2÷13.9V; Ch: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Output current: -2...1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Protection: over current OCP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Pulse fall time: 55ns
Output voltage: 2...13.9V
Kind of package: tube
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: IGBT gate driver
Number of channels: 1
Impulse rise time: 55ns
Topology: H-bridge
Supply voltage: 11...20V DC
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.12 грн
10+58.17 грн
25+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ONSEMI dtc143zd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 80...200
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.30 грн
100+6.37 грн
500+4.32 грн
1000+3.72 грн
1500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N138M 6N138M ONSEMI 6N138M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; 5kV; DIP8; 6N138M
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-1600%@1.6mA
Case: DIP8
Manufacturer series: 6N138M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41060FNB41060
FNB41060FNB41060
 FNB41060 ONSEMI fnb41060-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Power dissipation: 32W
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 10A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1035.38 грн
3+869.19 грн
5+806.04 грн
12+750.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZM3T5G ONSEMI DTC143Z-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 80...200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5G ONSEMI Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Application: automotive industry
Current gain: 80...200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT86ADR2G MC74HCT86ADR2G ONSEMI MC74HCT86A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; 20ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Delay time: 20ns
Family: HCT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT86ADTR2G MC74HCT86ADTR2G ONSEMI MC74HCT86A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Delay time: 20ns
Family: HCT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4148 MMSD4148 ONSEMI MMSD4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ifsm: 2A; 400mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.4W
Capacitance: 4pF
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20034DR2G ONSEMI ncs2003-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 7MHz; Ch: 4; 1.7÷5.5VDC; SO14; 4mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 7MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.7...5.5V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 1pA
Input offset current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 8V/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWR2G ONSEMI MC14518B-D.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Case: SO16WB
Technology: CMOS
Family: HEF4000B
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWG ONSEMI MC14518B-D.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Case: SO16WB
Technology: CMOS
Family: HEF4000B
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576D2T-ADJG ONSEMI lm2576-d.pdf description Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576D2T-ADJR4G ONSEMI lm2576-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ00USG NL27WZ00USG ONSEMI nl27wz00-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; CMOS; SMD; US8; Ch: 2; IN: 2; 1uA; 1.65÷5.5V; 2.4ns; AUC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Supply voltage: 1.65...5.5V
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 1µA
Number of inputs: 2
Case: US8
Family: AUC
Number of outputs: 1
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Delay time: 2.4ns
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.63 грн
50+8.39 грн
100+7.15 грн
250+6.32 грн
500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSP92BU KSP92BU ONSEMI ksp92-d.pdf FAIRS18882-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.53 грн
59+7.06 грн
100+5.00 грн
500+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSP92TA KSP92TA ONSEMI ksp92-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.90 грн
42+9.97 грн
100+6.56 грн
500+5.04 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904DP6T5G ONSEMI nst3904dp6-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.42W; SOT963
Polarisation: bipolar
Case: SOT963
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.42W
Collector current: 0.2A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904DXV6T1G ONSEMI nst3904dxv6t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.357W; SOT563
Polarisation: bipolar
Case: SOT563
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.357W
Collector current: 0.2A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI nsvj6904dsb6-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Semiconductor structure: common source
Case: CPH6
Type of transistor: N-JFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.7W
Drain-source voltage: 25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVT3904DXV6T1G ONSEMI nst3904dxv6t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.357W; SOT563
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT563
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.357W
Collector current: 0.2A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
Leakage current: 6µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 ONSEMI ntbg028n170m1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 214W
Gate charge: 222nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 57mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 ONSEMI nvbg020n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 448A
Power dissipation: 3.7W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 9.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 ONSEMI ntbg020n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 8.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3S ONSEMI ntbg022n120m3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 220W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 44mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 ONSEMI nvbg020n090sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 448A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S ONSEMI nvbg022n120m3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -3...18V
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 220W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 297A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5362BG 1N5362BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 28V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: 1N53xxB
Zener voltage: 28V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.90 грн
29+14.79 грн
31+13.71 грн
34+12.38 грн
100+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5368BG 1N5368BG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 47V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: 1N53xxB
Zener voltage: 47V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
24+17.95 грн
26+16.12 грн
50+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5250B 1N5250B ONSEMI 1N52xxB.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 20V; CASE017AG; single diode; bulk; 1N52xxB
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: 1N52xxB
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE017AG
Zener voltage: 20V
Type of diode: Zener
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
117+3.57 грн
157+2.66 грн
242+1.72 грн
500+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC10ADTR2G MC74HC10ADTR2G ONSEMI mc74hc10a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 3; IN: 3; SMD; TSSOP14; -55÷125°C; 1uA; 16ns; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V
Operating temperature: -55...125°C
Family: HC
Delay time: 16ns
Quiescent current: 1µA
Number of outputs: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14070BDG MC14070BDG ONSEMI MC14070B-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Delay time: 150ns
Family: HEF4000B
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.22 грн
19+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1G ONSEMI nvmfs6h848nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1G ONSEMI nvmfs6h848nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0T5G ESD5Z5.0T5G ONSEMI esd5z2.5t1-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.174kW; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; Ch: 1; 80pF
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 9.4A
Peak pulse power dissipation: 0.174kW
Leakage current: 50nA
Capacitance: 80pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5Z5.0T1G SZESD5Z5.0T1G ONSEMI esd5z2.5t1-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.2V; unidirectional; SOD523; automotive industry
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4937RLG ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.74 грн
51+8.23 грн
60+6.95 грн
70+5.95 грн
100+5.05 грн
250+4.10 грн
500+3.56 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937G 1N4937G ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; bulk
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.74 грн
81+5.15 грн
100+4.46 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4052DR2G MC74VHC4052DR2G ONSEMI MC74VHC4051-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Number of inputs: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Manufacturer series: VHC
Family: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: -6...0V DC; 2...6V DC; 2...12V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4052DTR2G MC74VHC4052DTR2G ONSEMI MC74VHC4051-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Number of inputs: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Manufacturer series: VHC
Family: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: -6...0V DC; 2...6V DC; 2...12V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 ONSEMI fdws86368_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 214W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC74MTCX 74VHC74MTCX ONSEMI 74VHC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: VHC
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
24+17.95 грн
27+15.95 грн
31+13.71 грн
100+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC74MX 74VHC74MX ONSEMI 74VHC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: VHC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC74DR2G MC74VHC74DR2G ONSEMI MC74VHC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2.2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC74DTG MC74VHC74DTG ONSEMI MC74VHC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; TSSOP14; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2.2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC74DTR2G MC74VHC74DTR2G ONSEMI MC74VHC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2.2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI FQB44N10-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS260T3G MBRS260T3G ONSEMI MBRS260T3G-DTE.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.55V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
30+14.29 грн
34+12.30 грн
50+10.14 грн
100+8.97 грн
200+7.98 грн
500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3 HUF75344G3 ONSEMI HUF75344G3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.06 грн
5+231.01 грн
10+198.60 грн
20+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC86MTCX 74VHC86MTCX ONSEMI 74VHC86-D.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; 20uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: XOR
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC86MX 74VHC86MX ONSEMI 74VHC86-D.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; 20uA; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: XOR
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ AFGHL50T65SQ-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 119W
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S MB05S-MB10S%20N0529%20REV.C.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4 fghl75t65mqdtl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33153DR2G MC33153.PDF
MC33153DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT gate driver; SO8; -2÷1A; 2÷13.9V; Ch: 1; 11÷20VDC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Output current: -2...1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Protection: over current OCP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Pulse fall time: 55ns
Output voltage: 2...13.9V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: IGBT gate driver
Number of channels: 1
Impulse rise time: 55ns
Supply voltage: 11...20V DC
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.50 грн
10+97.22 грн
25+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33153PG description MC33153.PDF
MC33153PG
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; IGBT gate driver; DIP8; -2÷1A; 2÷13.9V; Ch: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Output current: -2...1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Protection: over current OCP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Pulse fall time: 55ns
Output voltage: 2...13.9V
Kind of package: tube
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: IGBT gate driver
Number of channels: 1
Impulse rise time: 55ns
Topology: H-bridge
Supply voltage: 11...20V DC
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.12 грн
10+58.17 грн
25+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 80...200
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.30 грн
100+6.37 грн
500+4.32 грн
1000+3.72 грн
1500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N138M 6N138M.pdf
6N138M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; 5kV; DIP8; 6N138M
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-1600%@1.6mA
Case: DIP8
Manufacturer series: 6N138M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41060 fnb41060-d.pdf
FNB41060FNB41060
FNB41060FNB41060
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Power dissipation: 32W
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 10A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1035.38 грн
3+869.19 грн
5+806.04 грн
12+750.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZM3T5G DTC143Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 80...200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Application: automotive industry
Current gain: 80...200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT86ADR2G MC74HCT86A-D.pdf
MC74HCT86ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; 20ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Delay time: 20ns
Family: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT86ADTR2G MC74HCT86A-D.pdf
MC74HCT86ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Delay time: 20ns
Family: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G mjd112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4148 MMSD4148.pdf
MMSD4148
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ifsm: 2A; 400mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.4W
Capacitance: 4pF
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20034DR2G ncs2003-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 7MHz; Ch: 4; 1.7÷5.5VDC; SO14; 4mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 7MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.7...5.5V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 1pA
Input offset current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 8V/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWR2G MC14518B-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Case: SO16WB
Technology: CMOS
Family: HEF4000B
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWG MC14518B-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Case: SO16WB
Technology: CMOS
Family: HEF4000B
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576D2T-ADJG description lm2576-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576D2T-ADJR4G lm2576-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ00USG nl27wz00-d.pdf
NL27WZ00USG
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; CMOS; SMD; US8; Ch: 2; IN: 2; 1uA; 1.65÷5.5V; 2.4ns; AUC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Supply voltage: 1.65...5.5V
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 1µA
Number of inputs: 2
Case: US8
Family: AUC
Number of outputs: 1
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Delay time: 2.4ns
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.63 грн
50+8.39 грн
100+7.15 грн
250+6.32 грн
500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSP92BU ksp92-d.pdf FAIRS18882-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSP92BU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.53 грн
59+7.06 грн
100+5.00 грн
500+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSP92TA ksp92-d.pdf
KSP92TA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.90 грн
42+9.97 грн
100+6.56 грн
500+5.04 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904DP6T5G nst3904dp6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.42W; SOT963
Polarisation: bipolar
Case: SOT963
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.42W
Collector current: 0.2A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904DXV6T1G nst3904dxv6t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.357W; SOT563
Polarisation: bipolar
Case: SOT563
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.357W
Collector current: 0.2A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G nsvj6904dsb6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Semiconductor structure: common source
Case: CPH6
Type of transistor: N-JFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.7W
Drain-source voltage: 25V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVT3904DXV6T1G nst3904dxv6t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.357W; SOT563
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT563
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.357W
Collector current: 0.2A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z2.5T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
Leakage current: 6µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 ntbg028n170m1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 214W
Gate charge: 222nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 57mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 448A
Power dissipation: 3.7W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 9.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 ntbg020n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 8.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3S ntbg022n120m3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 220W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 44mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 nvbg020n090sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 448A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -3...18V
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 220W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 297A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5362BG 1N53xx.PDF
1N5362BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 28V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: 1N53xxB
Zener voltage: 28V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.90 грн
29+14.79 грн
31+13.71 грн
34+12.38 грн
100+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5368BG description 1N53xx.PDF
1N5368BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 47V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: 1N53xxB
Zener voltage: 47V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.37 грн
24+17.95 грн
26+16.12 грн
50+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5250B 1N52xxB.PDF
1N5250B
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 20V; CASE017AG; single diode; bulk; 1N52xxB
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: 1N52xxB
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE017AG
Zener voltage: 20V
Type of diode: Zener
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.16 грн
117+3.57 грн
157+2.66 грн
242+1.72 грн
500+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC10ADTR2G mc74hc10a-d.pdf
MC74HC10ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 3; IN: 3; SMD; TSSOP14; -55÷125°C; 1uA; 16ns; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V
Operating temperature: -55...125°C
Family: HC
Delay time: 16ns
Quiescent current: 1µA
Number of outputs: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14070BDG MC14070B-D.pdf
MC14070BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Delay time: 150ns
Family: HEF4000B
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.22 грн
19+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1G nvmfs6h848nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1G nvmfs6h848nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0T5G esd5z2.5t1-d.pdf
ESD5Z5.0T5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.174kW; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; Ch: 1; 80pF
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 9.4A
Peak pulse power dissipation: 0.174kW
Leakage current: 50nA
Capacitance: 80pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5Z5.0T1G esd5z2.5t1-d.pdf
SZESD5Z5.0T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.2V; unidirectional; SOD523; automotive industry
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4933_7.PDF
1N4937RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.74 грн
51+8.23 грн
60+6.95 грн
70+5.95 грн
100+5.05 грн
250+4.10 грн
500+3.56 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937G 1N4933_7.PDF
1N4937G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; bulk
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.74 грн
81+5.15 грн
100+4.46 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4052DR2G MC74VHC4051-D.pdf
MC74VHC4052DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Number of inputs: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Manufacturer series: VHC
Family: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: -6...0V DC; 2...6V DC; 2...12V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4052DTR2G MC74VHC4051-D.pdf
MC74VHC4052DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Number of inputs: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Manufacturer series: VHC
Family: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: -6...0V DC; 2...6V DC; 2...12V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 fdws86368_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 214W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC74MTCX 74VHC74-D.pdf
74VHC74MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: VHC
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.27 грн
24+17.95 грн
27+15.95 грн
31+13.71 грн
100+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC74MX 74VHC74-D.pdf
74VHC74MX
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: VHC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC74DR2G MC74VHC74-D.pdf
MC74VHC74DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2.2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC74DTG MC74VHC74-D.pdf
MC74VHC74DTG
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; TSSOP14; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2.2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC74DTR2G MC74VHC74-D.pdf
MC74VHC74DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; VHC; SMD; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2.2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10-D.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS260T3G MBRS260T3G-DTE.PDF
MBRS260T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.55V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.27 грн
30+14.29 грн
34+12.30 грн
50+10.14 грн
100+8.97 грн
200+7.98 грн
500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3 HUF75344G3.pdf
HUF75344G3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.06 грн
5+231.01 грн
10+198.60 грн
20+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC86MTCX 74VHC86-D.PDF
74VHC86MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; 20uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: XOR
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC86MX 74VHC86-D.PDF
74VHC86MX
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; 20uA; VHC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: XOR
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2365 2366 2367 2368 2369 2370 2371 2372 2373 2374 2375 2420 2423  [ Наступна Сторінка >> ]