Продукція > MICROSEMI > 1214-300

1214-300 MICROSEMI

5715-1214-300-datasheet
Виробник: MICROSEMI
55KT-1/ RF Power Transistor 300W,50V 1214
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1214-300 MICROSEMI

Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT, Packaging: Bulk, Package / Case: 55KT, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7dB, Power - Max: 88W, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Supplier Device Package: 55KT, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції 1214-300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1214-300 Microsemi Corporation 5715-1214-300-datasheet Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Packaging: Bulk
Package / Case: 55KT
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 88W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Supplier Device Package: 55KT
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1214-300 5715-1214-300-datasheet
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Packaging: Bulk
Package / Case: 55KT
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 88W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Supplier Device Package: 55KT
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.