1214-300 MICROSEMI


5715-1214-300-datasheet
Виробник: MICROSEMI
55KT-1/ RF Power Transistor 300W,50V 1214
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1214-300 MICROSEMI

Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55KT, Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, Power - Max: 88W, Gain: 7dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 55KT, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 1214-300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1214-300 Microsemi Corporation 5715-1214-300-datasheet Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1214-300 5715-1214-300-datasheet
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.