Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 18N10
18N10

18N10 Goford Semiconductor

18N10.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.49 грн
10+50.47 грн
100+33.13 грн
500+24.08 грн
1000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 18N10 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V.

Інші пропозиції 18N10 за ціною від 17.12 грн до 17.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
18N10 GOFORD Semiconductor 18N10.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N-10 Spectrum Control n.pdf Low Power Fixed Attenuator 18GHz 10dB 2-Pin
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N-10 n.pdf
Виробник: Spectrum Control
Low Power Fixed Attenuator 18GHz 10dB 2-Pin
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.