Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 18N10
18N10

18N10 Goford Semiconductor

18N10.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.68 грн
10+51.19 грн
100+33.60 грн
500+24.42 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 18N10 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 18N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
18N-10 Виробник : Aeroflex Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Виробник : Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Виробник : Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N-10 Виробник : Spectrum Control RF Connectors / Coaxial Connectors ATTENUATOR 18N 18GHZ 10DB M/F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.