1N5408G ON Semiconductor
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 6.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 1N5408G за ціною від 3.95 грн до 67.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 32400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor | Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 4572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Mounting: THT Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 50µA Type of diode: switching |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 9825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 24733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Mounting: THT Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 50µA Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 303 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 20509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier |
на замовлення 6098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 4572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=1000V, IO=3A |
на замовлення 6088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : onsemi | Rectifiers 1000V 3A Standard |
на замовлення 43568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tape Type of diode: rectifying |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tape Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 258 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |