
1N5408-G Comchip Technology

Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1200+ | 6.26 грн |
2400+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5408-G за ціною від 4.34 грн до 68.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: bulk Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 28110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 27932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: bulk Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5408 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 32128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 3913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3913 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; DO201AD Mounting: THT Load current: 3A Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; DO201AD Mounting: THT Load current: 3A Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |