Технічний опис 1N5408G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5408G за ціною від 5.04 грн до 65.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 47870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : EIC |
Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
на замовлення 910 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5408 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 16637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 70284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5408G | Виробник : onsemi |
Rectifiers 1000V 3A Standard |
на замовлення 45661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier |
на замовлення 4730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Small Signal Switching Diodes VR=1000V, IO=3A |
на замовлення 5972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 3329 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 1N5408G | Виробник : On Semiconductor |
DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товару немає в наявності |












