
1N5408G ON Semiconductor
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5408G за ціною від 4.14 грн до 69.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : EIC |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 10040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Leakage current: 50µA Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 16345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Leakage current: 50µA Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 4822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 11018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5408 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 31380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 5188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Kind of package: tape Type of diode: rectifying Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A |
на замовлення 4663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Kind of package: tape Type of diode: rectifying Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; DO201AD Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Load current: 3A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; DO201AD Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Load current: 3A Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |