 
1N5408-G Comchip Technology
 Виробник: Comchip Technology
                                                Виробник: Comchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1200+ | 6.29 грн | 
| 2400+ | 5.97 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023). 
Інші пропозиції 1N5408-G за ціною від 4.61 грн до 63.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box | на замовлення 51390 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |  Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box | на замовлення 4750 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 2500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 2500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box | на замовлення 14500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor |  Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD | на замовлення 10000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box | на замовлення 51390 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ONSEMI |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: bulk Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode | на замовлення 1101 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 1391 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : onsemi |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 37484 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ONSEMI |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: bulk Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1101 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |  Small Signal Switching Diodes VR=1000V, IO=3A | на замовлення 6838 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : onsemi |  Rectifiers 1000V 3A Standard | на замовлення 24969 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 4160 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box | на замовлення 291 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | на замовлення 2400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5408 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 32453 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |        Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier | на замовлення 5012 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 1046 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |  Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4927 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode | на замовлення 3694 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3694 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box | на замовлення 291 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |  Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |  Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |  Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor |  Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | 1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
| 1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |        Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 125A; DO201AD Mounting: THT Load current: 3A Max. forward impulse current: 125A Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode | товару немає в наявності |