1N6113A MICROCHIP (MICROSEMI)


1N61xxA.pdf Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 500W
Max. off-state voltage: 15.2V
Breakdown voltage: 19V
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6113A MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 500W, Max. off-state voltage: 15.2V, Breakdown voltage: 19V, Max. forward impulse current: 18A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Mounting: THT, Leakage current: 1µA, кількість в упаковці: 100 шт.

Інші пропозиції 1N6113A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N6113A Виробник : Microsemi Corporation 127891-lds-0277 Description: TVS DIODE 15.2VWM BPKG AXIAL
товар відсутній
1N6113A 1N6113A Виробник : Semtech 1n61xx05-1276562.pdf Zener Diodes T MET BI 500W 20V
товар відсутній
1N6113A Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1N61xxA.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 500W
Max. off-state voltage: 15.2V
Breakdown voltage: 19V
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
товар відсутній