1N6113A MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W
Mounting: THT
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 15.2V
Max. forward impulse current: 18A
Breakdown voltage: 19V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6113A MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W, Mounting: THT, Type of diode: TVS, Leakage current: 1µA, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 15.2V, Max. forward impulse current: 18A, Breakdown voltage: 19V, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Semiconductor structure: bidirectional, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції 1N6113A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N6113A | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
1N6113A | Виробник : Semtech |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N6113A | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 1µA Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 15.2V Max. forward impulse current: 18A Breakdown voltage: 19V Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional |
товару немає в наявності |