1N6113A MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 15.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 18A
Breakdown voltage: 19V
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6113A MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 15.2V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 18A, Breakdown voltage: 19V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Tolerance: ±5%, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції 1N6113A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6113A | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 15.2VWM BPKG AXIAL |
товару немає в наявності |
||
 |
1N6113A | Виробник : Semtech |
Zener Diodes T MET BI 500W 20V |
товару немає в наявності |
|
| 1N6113A | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W Mounting: THT Max. off-state voltage: 15.2V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 18A Breakdown voltage: 19V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.5kW Tolerance: ±5% |
товару немає в наявності |