1N1200A GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 420.35 грн |
| 10+ | 325.76 грн |
| 25+ | 298.97 грн |
| 100+ | 246.32 грн |
| 250+ | 225.99 грн |
| 500+ | 211.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N1200A GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N1200A за ціною від 227.18 грн до 456.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N1200A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 1N1200A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 12A 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
1N1200A | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Si 100V 12A 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
1N1200A | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Si 100V 12A 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |