| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 443.52 грн |
| 10+ | 352.00 грн |
| 25+ | 280.93 грн |
| 100+ | 246.68 грн |
| 250+ | 225.72 грн |
| 500+ | 220.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N1200A GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N1200A за ціною від 228.50 грн до 597.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N1200A | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
1N1200A | Виробник : Vishay |
Diode Si 100V 12A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
1N1200A | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 12A 2-Pin DO-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
1N1200A | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers Std Rectifier |
товару немає в наявності |