
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 707.44 грн |
10+ | 565.72 грн |
25+ | 452.51 грн |
100+ | 398.70 грн |
250+ | 382.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3890 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3890
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N3890 | Виробник : MOT |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
1N3890 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N3890 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N3890 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N3890 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N3890 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N3890 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |