
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1305+ | 9.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5059-TR Vishay
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57, Case: SOD57, Mounting: THT, Kind of package: 10 inch reel, Type of diode: rectifying, Quantity in set/package: 5000pcs., Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Capacitance: 40pF, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward voltage: 1.15V, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 4µs, Max. forward impulse current: 50A, Leakage current: 0.1mA, кількість в упаковці: 15000 шт.
Інші пропозиції 1N5059-TR за ціною від 3.41 грн до 44.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5059TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 20761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 42017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
1N5059TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
1N5059TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 5000pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
1N5059TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 5000pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA |
товару немає в наявності |