Продукція > MICROSEMI > 1N5230B (DO-35)

1N5230B (DO-35) MICROSEMI


1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35.pdf
Виробник: MICROSEMI
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5230B (DO-35) MICROSEMI

Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA, Power - Max: 500 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 1N5230B (DO-35)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N5230B (DO-35) 1N5230B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5230BDO35 1N5230BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5230B (DO-35) 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35.pdf
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5230BDO35 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.