1N5407G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1250+ | 9.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N540xG Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 1N5407G за ціною від 6.77 грн до 45.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 16090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier |
на замовлення 3692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : onsemi |
Rectifiers 800V 3A Standard |
на замовлення 33092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N540xG Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Small Signal Switching Diodes VR=800V, IO=3A |
на замовлення 5297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5407 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : Lite-On Electronics |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |