на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 807+ | 15.32 грн |
| 2500+ | 13.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N540xG Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 1N5407G за ціною від 6.92 грн до 44.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
 Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 15894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : onsemi |
Rectifiers 800V 3A Standard |
на замовлення 10997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N540xG Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Small Signal Switching Diodes VR=800V, IO=3A |
на замовлення 5447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5407 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Case: DO27 Mounting: THT Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 0.8kV Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : EIC Semiconductor |
Diode Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1N5407G | Виробник : Lite-On Electronics |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N5407G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Case: DO27 Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 0.8kV Kind of package: tape |
товару немає в наявності |