Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > 1N5407G
1N5407G

1N5407G Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G SERIES_K2105.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5407G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N540xG Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції 1N5407G за ціною від 6.62 грн до 44.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.21 грн
2500+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
504+24.22 грн
656+18.60 грн
901+13.55 грн
1137+10.35 грн
2500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 504
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2400+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+33.07 грн
27+22.49 грн
100+17.27 грн
500+12.13 грн
1000+8.90 грн
2500+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Small Signal Switching Diodes VR=800V, IO=3A
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
14+25.63 грн
100+13.32 грн
500+12.36 грн
1200+8.46 грн
2400+7.72 грн
9600+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5407
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.49 грн
35+23.77 грн
100+15.43 грн
500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : onsemi 1n5400-d.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 800V 3A Standard
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
14+24.53 грн
100+15.82 грн
500+12.65 грн
1000+9.78 грн
2500+9.12 грн
7500+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
14+22.68 грн
100+14.41 грн
500+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N540xG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.62 грн
35+23.77 грн
100+15.43 грн
500+10.88 грн
1000+8.42 грн
5000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.57 грн
12+26.75 грн
100+17.07 грн
500+12.11 грн
1000+10.85 грн
2000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G Виробник : ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : Diodes Incorporated ds29003-3045265.pdf Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G Виробник : ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G Виробник : Lite-On Electronics 1n5400g-1n5408g-9.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : EIC 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407G 1N5407G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.