1N5408G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: bulk
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 25.64 грн |
| 15+ | 19.98 грн |
| 17+ | 17.33 грн |
| 100+ | 12.19 грн |
| 250+ | 10.48 грн |
| 500+ | 9.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408G ONSEMI
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5408G за ціною від 4.60 грн до 63.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5408-G Код товару: 214966
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 51390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor |
Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 51390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Leakage current: 50µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: bulk Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 37464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5408G | Виробник : onsemi |
Rectifiers 1000V 3A Standard |
на замовлення 24969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Small Signal Switching Diodes VR=1000V, IO=3A |
на замовлення 6838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5408 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 32253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier |
на замовлення 5012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : EIC Semiconductor |
Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 125A; DO201AD Mounting: THT Load current: 3A Max. forward impulse current: 125A Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |











