Технічний опис 1N5419/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Supplier Device Package: GPR-4AM, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: R-4, Axial, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 1N5419/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5419/TR | Microchip Technology |
 Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELFCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 164 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1N5419 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Supplier Device Package: GPR-4AM Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: R-4, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
1N5419/TR | Microchip Technology |
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 164 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N5419 TR | Central Semiconductor |
Central Semiconductor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 1N5419/TR |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5419 TR |
|
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: GPR-4AM
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-4, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: GPR-4AM
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-4, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5419/TR |
|
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5419 TR |
|
Виробник: Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.