1N5419/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5419/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: R-4, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: GPR-4AM, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V.
Інші пропозиції 1N5419/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5419 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-4, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GPR-4AM Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
1N5419/TR | Microchip Technology |
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 164 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N5419 TR | Central Semiconductor |
Central Semiconductor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 1N5419/TR | Microchip Technology |
Diode Switching 500V 3A 2-Pin Case B T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 164 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N5419 TR |
|
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-4, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: GPR-4AM
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-4, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: GPR-4AM
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5419/TR |
|
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5419 TR |
|
Виробник: Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5419/TR |
|
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 500V 3A 2-Pin Case B T/R
Diode Switching 500V 3A 2-Pin Case B T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.