на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1401+ | 8.71 грн |
| 3000+ | 8.35 грн |
| 5000+ | 8.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5818G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 550mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5818, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 1N5818G за ціною від 3.81 грн до 26.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5818G | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V |
на замовлення 3258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5818G | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V |
на замовлення 11177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5818G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5818 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5818-G | Виробник : Comchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=30V, IAV=1.0A |
на замовлення 7290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5818G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
1N5818G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
1N5818G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
1N5818G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: CASE59 Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 25A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
1N5818G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: CASE59 Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 25A |
товару немає в наявності |