
1N5822 STMicroelectronics
на замовлення 24604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 5.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5822 STMicroelectronics
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5822 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 950 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5820, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5822 за ціною від 3.17 грн до 977.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 15600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 70800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 15600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 70800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Lumimax Optoelectronic Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD (DO-27) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.475V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Max. forward voltage: 0.475V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 10A |
на замовлення 8802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.475V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Max. forward voltage: 0.475V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 31703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Max. forward voltage: 0.525V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tape |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201; Ammo Pack Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201 Max. forward impulse current: 15A Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Max. forward voltage: 0.525V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201; Ammo Pack Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201 Max. forward impulse current: 15A Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 9.4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5820 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ammo Pack Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Max. forward impulse current: 80A Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 8151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ammo Pack Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Max. forward impulse current: 80A Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : MIC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 3740 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : KINGTRONICS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : KINGTRONICS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822+ | Виробник : Multicomp | 1N5822+ |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : ST MICROELECTRONICS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 460 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : STM |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : DC Components |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 525mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : Yangjie Technology |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : Galaxy Century Microelectronics (Changzhou) Co., Ltd |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1N5822 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : DC Components |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : Semtech |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
1N5822 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Lite-On Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 9.4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Rectron |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Max. forward voltage: 0.525V Max. forward impulse current: 70A Kind of package: tape Capacitance: 200pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5822 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5822 | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Max. forward voltage: 0.525V Max. forward impulse current: 70A Kind of package: tape Capacitance: 200pF |
товару немає в наявності |