
1N6095R GeneSiC Semiconductor
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1483.84 грн |
10+ | 1244.05 грн |
25+ | 1015.00 грн |
100+ | 921.79 грн |
250+ | 899.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6095R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N6095R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N6095R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
1N6095R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |