Технічний опис 1SS184S,LF(D Toshiba
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA S-MINI, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Supplier Device Package: S-Mini, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V.
Інші пропозиції 1SS184S,LF(D за ціною від 14.69 грн до 16.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SS184S,LF(D | Toshiba |
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 1SS184S,LF(D |
![]() |
Виробник: Toshiba
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2134+ | 16.47 грн |
| 10000+ | 14.69 грн |


