Продукція > TOSHIBA > 1SS250(TE85L,F)

1SS250(TE85L,F) Toshiba

Name: 1SS250(TE85L,F)
Brand: Toshiba
SKU: 70700-4
Price: 368 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba
Small Signal Switching Diodes 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

на замовлення 1634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	36.80 грн
500+	30.31 грн
1000+	24.81 грн
3000+	5.94 грн
9000+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 1SS250(TE85L,F) Toshiba

Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: SC-59, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.

Інші пропозиції 1SS250(TE85L,F)

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
1SS250(TE85L,F)	Виробник : TOSHIBA	Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 250V; 100mA; 60ns; SOT346; Ufmax: 1.2V; 150mW Type of diode: switching Case: SOT346 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.3A Reverse recovery time: 60ns Power dissipation: 0.15W Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 3pF кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
1SS250(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: SC-59 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
1SS250(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: SC-59 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
1SS250(TE85L,F)	Виробник : TOSHIBA	Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 250V; 100mA; 60ns; SOT346; Ufmax: 1.2V; 150mW Type of diode: switching Case: SOT346 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.3A Reverse recovery time: 60ns Power dissipation: 0.15W Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 3pF	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.