1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.11 грн |
| 6000+ | 6.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 1SS307(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 35 V, 100 mA, 1.3 V, 1 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-236MOD, Durchlassstoßstrom: 1A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 35V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 1SS307(TE85L,F) за ціною від 6.68 грн до 38.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1SS307(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS307(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 35 V, 100 mA, 1.3 V, 1 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 1A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: S-Mini Current - Average Rectified (Io): 100mA Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1SS307(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS307(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 35 V, 100 mA, 1.3 V, 1 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236MOD Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1SS307(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Small Signal Switching Diodes Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 1SS307(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
SOT23/SOT323 |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |