Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 1SS307E,L3F
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-79
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.69 грн
16000+1.48 грн
24000+1.40 грн
40000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-79, SOD-523, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: SC-79, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V.

Інші пропозиції 1SS307E,L3F за ціною від 1.88 грн до 7.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1SS307E,L3F 1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SC-79
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.70 грн
60+4.97 грн
100+3.31 грн
500+2.36 грн
1000+2.10 грн
2000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307E,L3F 1SS307E,L3F Toshiba 4241393441333531463531343238363642434430373741323633453742413532.pdf Small Signal Switching Diodes Switching diode SNG Low leak current
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307E,L3F 1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E
1SS307E,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SC-79
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.70 грн
60+4.97 грн
100+3.31 грн
500+2.36 грн
1000+2.10 грн
2000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307E,L3F 4241393441333531463531343238363642434430373741323633453742413532.pdf
1SS307E,L3F
Виробник: Toshiba
Small Signal Switching Diodes Switching diode SNG Low leak current
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.