Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 1SS307E,L3F
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-79
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.05 грн
16000+ 1.68 грн
24000+ 1.55 грн
56000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-79, SOD-523, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: SC-79, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V.

Інші пропозиції 1SS307E,L3F за ціною від 1.46 грн до 13.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1SS307E,L3F 1SS307E,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-79
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 85130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.93 грн
33+ 8.58 грн
100+ 4.62 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 2.36 грн
2000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
1SS307E,L3F 1SS307E,L3F Виробник : Toshiba 1SS307E_datasheet_en_20181116-1916386.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current
на замовлення 122197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.72 грн
33+ 9.47 грн
100+ 3.52 грн
1000+ 2.06 грн
2500+ 1.99 грн
8000+ 1.59 грн
24000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
1SS307E,L3F Виробник : Toshiba 1ss307e_datasheet_en_20181116.pdf Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar
товар відсутній