Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 1SS307E,L3F
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-79
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.81 грн
16000+1.59 грн
24000+1.50 грн
40000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-79, SOD-523, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: SC-79, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V.

Інші пропозиції 1SS307E,L3F за ціною від 1.22 грн до 12.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SS307E,L3F 1SS307E,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E_datasheet_en_20181116.pdf?did=28816&prodName=1SS307E Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-79
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 53844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.26 грн
60+5.33 грн
100+3.55 грн
500+2.53 грн
1000+2.26 грн
2000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307E,L3F 1SS307E,L3F Виробник : Toshiba 1SS307E_datasheet_en_20181116-1916386.pdf Small Signal Switching Diodes Switching diode SNG Low leak current
на замовлення 79816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.74 грн
51+6.94 грн
112+2.75 грн
1000+2.14 грн
8000+1.37 грн
24000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307E,L3F Виробник : Toshiba 1ss307e_datasheet_en_20181116.pdf Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.