Продукція > TOSHIBA > 1SS367,H3F(B

1SS367,H3F(B Toshiba

119docget.jsppid1ss367langentypedatasheet.jsppid1ss367langentypedata.pdf

Виробник: Toshiba
Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 1SS367,H3F(B Toshiba

Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type.