Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS367,H3F(B Toshiba
Diode Small Signal Schottky 15V 0.1A 2-Pin USC.
Інші пропозиції 1SS367,H3F(B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SS367,H3F(B | Toshiba |
 Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1137 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1SS367,H3F(B |
|
Виробник: Toshiba
Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)