Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 1SS367,H3F
1SS367,H3F

1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=3342&prodName=1SS367 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
6000+1.70 грн
9000+1.69 грн
15000+1.58 грн
21000+1.54 грн
30000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V.

Інші пропозиції 1SS367,H3F за ціною від 1.54 грн до 11.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SS367,H3F 1SS367,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3342&prodName=1SS367 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 32514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
46+6.67 грн
100+4.93 грн
500+3.21 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
1SS367,H3F 1SS367,H3F Виробник : Toshiba 1SS367_datasheet_en_20140301-1916488.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode
на замовлення 9313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.42 грн
45+7.53 грн
100+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+1.77 грн
9000+1.62 грн
24000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
1SS367,H3F 1SS367,H3F Виробник : Toshiba 119docget.jsppid1ss367langentypedatasheet.jsppid1ss367langentypedata.pdf Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 15V 0.1A 2-Pin USC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS367,H3F 1SS367,H3F Виробник : Toshiba 119docget.jsppid1ss367langentypedatasheet.jsppid1ss367langentypedata.pdf Diode Small Signal Schottky Si 15V 0.1A 2-Pin USC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS367,H3F 1SS367,H3F Виробник : Toshiba 119docget.jsppid1ss367langentypedatasheet.jsppid1ss367langentypedata.pdf Diode Small Signal Schottky Si 15V 0.1A 2-Pin USC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.