Продукція > TOSHIBA > 1SS382TE85LF
1SS382TE85LF

1SS382TE85LF Toshiba

3946363430363733363341324532334344333730414430433937314536413631.pdf
Виробник: Toshiba
Small Signal Switching Diodes 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS382TE85LF Toshiba

Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

Інші пропозиції 1SS382TE85LF за ціною від 5.59 грн до 30.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
9000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
17+18.63 грн
50+13.42 грн
100+11.01 грн
500+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.78 грн
9000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
17+18.63 грн
50+13.42 грн
100+11.01 грн
500+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.