1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.92 грн |
| 6000+ | 4.54 грн |
| 9000+ | 4.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.
Інші пропозиції 1SS382TE85LF за ціною від 3.96 грн до 25.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1SS382TE85LF | Виробник : Toshiba |
Small Signal Switching Diodes 0.1A 80V Switching High-Speed Diode |
на замовлення 5168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1SS382TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 14308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|