Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 1SS403,H3F
1SS403,H3F

1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403_datasheet_en_20210625.pdf?did=3397&prodName=1SS403 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4 грн
6000+ 3.57 грн
9000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.

Інші пропозиції 1SS403,H3F за ціною від 2.79 грн до 25.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1SS403,H3F 1SS403,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403_datasheet_en_20210625.pdf?did=3397&prodName=1SS403 Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
18+ 15.71 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS403,H3F 1SS403,H3F Виробник : Toshiba 1SS403_datasheet_en_20210625-1760679.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching IFM=300mA Automotive; AEC-Q
на замовлення 30744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.26 грн
17+ 18.94 грн
100+ 6.38 грн
1000+ 4.32 грн
3000+ 3.39 грн
9000+ 2.86 грн
24000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS403,H3F 1SS403,H3F Виробник : Toshiba 1ss403_datasheet_en_20210625.pdf Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive AEC-Q101 2-Pin USC T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS403,H3F 1SS403,H3F Виробник : Toshiba 1ss403_datasheet_en_20210625.pdf Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive AEC-Q101 2-Pin USC T/R
товар відсутній
1SS403,H3F 1SS403,H3F Виробник : Toshiba 1ss403_datasheet_en_20210625.pdf Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive AEC-Q101 2-Pin USC T/R
товар відсутній
1SS403,H3F Виробник : Toshiba 1ss403_datasheet_en_20210625.pdf Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive 2-Pin USC T/R
товар відсутній