1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Capacitance Ratio: 4.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 5.64 грн |
| 8000+ | 4.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC, Capacitance Ratio: 4.3, Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V, Supplier Device Package: ESC, Capacitance Ratio Condition: C1/C4, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Operating Temperature: 125°C (TJ), Diode Type: Single, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-79, SOD-523, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 1SV325,H3F за ціною від 4.99 грн до 31.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1SV325,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC Capacitance Ratio: 4.3 Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V Supplier Device Package: ESC Capacitance Ratio Condition: C1/C4 Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Operating Temperature: 125°C (TJ) Diode Type: Single Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-79, SOD-523 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1SV325,H3F | Виробник : Toshiba |
Varactor Diodes ESC VARICAP DIODE IR=3nA |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|