1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Capacitance Ratio: 4.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.45 грн |
| 36+ | 8.61 грн |
| 41+ | 7.56 грн |
| 100+ | 6.04 грн |
| 250+ | 5.53 грн |
| 500+ | 5.22 грн |
| 1000+ | 4.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC, Capacitance Ratio: 4.3, Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V, Supplier Device Package: ESC, Capacitance Ratio Condition: C1/C4, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Operating Temperature: 125°C (TJ), Diode Type: Single, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-79, SOD-523, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 1SV325,H3F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
1SV325,H3F | Toshiba |
Varactor Diodes ESC VARICAP DIODE IR=3nA |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 1SV325,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
Varactor Diodes ESC VARICAP DIODE IR=3nA
Varactor Diodes ESC VARICAP DIODE IR=3nA
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



