2301H Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.42 грн |
| 26+ | 11.74 грн |
| 100+ | 7.30 грн |
| 500+ | 5.04 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2301H Goford Semiconductor
Description: FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH, Tolerance: ±15%, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial, Horizontal (Open), Size / Dimension: 1.280" Dia (32.51mm), Mounting Type: Through Hole, Shielding: Unshielded, Type: Toroidal, Operating Temperature: -55°C ~ 105°C, DC Resistance (DCR): 5mOhm Max, Material - Core: Iron Powder, Inductance Frequency - Test: 1 kHz, Height - Seated (Max): 0.650" (16.51mm), Inductance: 10 µH, Current Rating (Amps): 20 A.
Інші пропозиції 2301H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2301H | GOFORD Semiconductor |
2301H |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2301H |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
2301H
2301H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)