Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 2301H
2301H

2301H Goford Semiconductor

2301H.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.33 грн
26+11.69 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2301H Goford Semiconductor

Description: FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH, Tolerance: ±15%, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial, Horizontal (Open), Size / Dimension: 1.280" Dia (32.51mm), Mounting Type: Through Hole, Shielding: Unshielded, Type: Toroidal, Operating Temperature: -55°C ~ 105°C, DC Resistance (DCR): 5mOhm Max, Material - Core: Iron Powder, Inductance Frequency - Test: 1 kHz, Height - Seated (Max): 0.650" (16.51mm), Inductance: 10 µH, Current Rating (Amps): 20 A.

Інші пропозиції 2301H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2301-H 2301-H Bourns Inc. 2300_Series.pdf Description: FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH
Tolerance: ±15%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal (Open)
Size / Dimension: 1.280" Dia (32.51mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Toroidal
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5mOhm Max
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Height - Seated (Max): 0.650" (16.51mm)
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 20 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H GOFORD SEMICONDUCTOR 2301H.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.8A; 0.89W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.8A
Gate charge: 4.5nC
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301-H 2300_Series.pdf
2301-H
Виробник: Bourns Inc.
Description: FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH
Tolerance: ±15%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal (Open)
Size / Dimension: 1.280" Dia (32.51mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Toroidal
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5mOhm Max
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Height - Seated (Max): 0.650" (16.51mm)
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 20 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.8A; 0.89W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.8A
Gate charge: 4.5nC
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.