Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 2301H
2301H

2301H Goford Semiconductor

2301H.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2301H Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 890mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2301H за ціною від 4.32 грн до 19.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2301H 2301H Виробник : Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.10 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2301-H 2301-H Виробник : Bourns Inc. 2300_Series.pdf Description: FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH
Tolerance: ±15%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal (Open)
Size / Dimension: 1.280" Dia (32.51mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Toroidal
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5mOhm Max
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Height - Seated (Max): 0.650" (16.51mm)
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 20 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Виробник : Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.