на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
264+ | 46.45 грн |
275+ | 44.58 грн |
500+ | 42.97 грн |
1000+ | 40.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1062(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, Gate-source voltage: ±20V, Case: SC59, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.2A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 2SK1062(TE85L,F)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
||
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Case: SC59 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Case: SC59 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |