Продукція > TOSHIBA > 2SK880GRTE85LF
2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF Toshiba

2SK880_datasheet_en_20140301-1594308.pdf Виробник: Toshiba
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.18 грн
10+ 36.24 грн
100+ 21.97 грн
500+ 17.13 грн
1000+ 13.95 грн
3000+ 11.78 грн
9000+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK880GRTE85LF Toshiba

Description: JFET N-CH 50V SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Power - Max: 100 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK880GRTE85LF за ціною від 16.14 грн до 46.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK880GRTE85LF 2SK880GRTE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.13 грн
10+ 37.95 грн
100+ 28.33 грн
500+ 20.89 грн
1000+ 16.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SK880GRTE85LF 2SK880GRTE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
товар відсутній