2N2905A MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 85.82 грн |
| 19+ | 47.60 грн |
| 100+ | 35.89 грн |
| 500+ | 26.62 грн |
| 1000+ | 21.91 грн |
| 5000+ | 19.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2905A MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N2905A за ціною від 18.87 грн до 907.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V, 0.6A, 800mW BJT PNP Transistor |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| 2N2905A | Виробник : CDIL |
PNP 600mA 60V 600mW 200MHz 2N2905A T2N2905a кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 996 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2N2905A | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Kind of package: bulk Case: TO39 Type of transistor: PNP Mounting: THT Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.6/3W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 50...300 Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2N2905A | Виробник : CDIL |
Транзистор PNP; Uceo, В = 60; Ic = 600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °C = -65...+200; TO-39-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
|
2N2905A (транзистор біполярный NPN) Код товару: 27215
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-18 fT: 200 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,6 A h21: 150 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2N2905A | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2N2905A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N2905A | Виробник : MICROSEMI |
TO39/PNP TRANSISTOR 2N2905 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N2905A | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
2N2905A | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |