2N3700 CDIL
Виробник: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.5/1.8W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100...400MHz
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.81 грн |
| 11+ | 36.92 грн |
| 25+ | 22.14 грн |
| 49+ | 18.77 грн |
| 134+ | 17.76 грн |
| 500+ | 17.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3700 CDIL
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18, Packaging: Tube, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N3700 за ціною від 21.22 грн до 602.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N3700 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.5/1.8W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5/1.8W Case: TO18 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100...400MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3700 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: - Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 400 Bauform - Transistor: TO-18 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : Microsemi |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2N3700 | Виробник : STMicroelectronics NV |
NPN 80V 1A TO-18 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
2N3700 Код товару: 173155
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-18 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 140 V Ic,A: 1 A Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
| 2N3700 | Виробник : Semelab / TT Electronics |
|
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| 2N3700 | Виробник : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N3700 | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2N3700 | Виробник : MICROSEMI |
TO-18/1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3700 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |