2N3700 MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3700 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 202.72 грн |
| 10+ | 144.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3700 MULTICOMP PRO
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18, Packaging: Tube, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N3700 за ціною від 23.00 грн до 641.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N3700 | Виробник : Microsemi |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| 2N3700 | Виробник : CDIL |
2N3700-CDI NPN THT transistors |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N3700 | Виробник : STMicroelectronics NV |
NPN 80V 1A TO-18 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||
|
2N3700 Код товару: 173155
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-18 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 140 V Ic,A: 1 A Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||
| 2N3700 | Виробник : MICROSEMI |
TO-18/1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3700кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
2N3700 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
2N3700 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товару немає в наявності |
|||||||||
| 2N3700 | Виробник : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||
| 2N3700 | Виробник : Semelab / TT Electronics |
|
товару немає в наявності |



