
2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 13.20 грн |
61+ | 6.28 грн |
102+ | 3.77 грн |
146+ | 2.64 грн |
191+ | 2.01 грн |
250+ | 1.62 грн |
500+ | 1.51 грн |
817+ | 1.10 грн |
2246+ | 1.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: TO-18, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2N2907A за ціною від 0.99 грн до 566.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
2N2907A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Lumimax Optoelectronic Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 78 @ 100µA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 19980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 6112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 67763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 3209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : CDIL |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 325 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Rectron |
![]() |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : MICROSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
2N2907A | Виробник : Toshiba |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Semelab / TT Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : CDIL |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 50...300 Mounting: THT Frequency: 200MHz Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Semelab (TT electronics) |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : CDIL |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 50...300 Mounting: THT Frequency: 200MHz Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Semelab |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Optek Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Rectron |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Rectron |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2907A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |