2N3251A MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3251A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.74 грн |
| 10+ | 103.16 грн |
| 100+ | 73.86 грн |
| 500+ | 47.97 грн |
| 1000+ | 31.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3251A MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3251A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-18, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2N3251A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3251A | Виробник : MOT |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N3251A | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3251A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 360mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3251A | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3251A | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |