2N3251A MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3251A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3251A MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3251A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-18, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N3251A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3251A | Microsemi Corporation |
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N3251A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N3251A |
|
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3251A |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.