2N3714

2N3714 NTE Electronics, Inc


2N3714.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.41 грн
10+130.28 грн
20+123.42 грн
50+109.39 грн
100+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3714 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 80V 10A TO3, Power - Max: 150 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag.

Інші пропозиції 2N3714

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3714 2N3714 STMicroelectronics 2N3714.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3714 Toshiba 2N3714.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3714 2N3714.pdf
2N3714
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3714 2N3714.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.