Продукція > ON > 2N3904RL1G

2N3904RL1G ON

2N3903-D.PDF
Виробник: ON
07+;
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3904RL1G ON

Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N3904RL1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3904RL1G On Semiconductor 2N3903-D.PDF NPN, Uкэ=40V, Iк=0.2A, 0.625Вт, 300МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904RL1G 2N3904RL1G onsemi 2N3903-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904RL1G Toshiba 2N3903-D.PDF Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904RL1G 2N3903-D.PDF
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=40V, Iк=0.2A, 0.625Вт, 300МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904RL1G 2N3903-D.PDF
2N3904RL1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904RL1G 2N3903-D.PDF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.