2N4400BU

2N4400BU onsemi


DS_261_2N4400.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4400BU onsemi

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N4400BU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N4400BU Toshiba DS_261_2N4400.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4400BU DS_261_2N4400.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.