Технічний опис 2N5015 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N5015
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5015 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N5015 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N5015 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |