2N5109 (транзистор біполярный NPN) Central Semiconductor
Код товару: 31239
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Central Semiconductor
Корпус: TO-39
fT: 1,2 GHz
Uceo,V: 20 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 0,4 A
h21: 120
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N5109 (транзистор біполярный NPN)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5109 | Centralsemi | TO-5 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N5109 | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
2N5109 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB Power - Max: 2.5W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5109 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5109 |
Виробник: MICROSEMI
кількість в упаковці: 1000 шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5109 |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5109 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.