
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1041.11 грн |
10+ | 904.41 грн |
25+ | 765.11 грн |
50+ | 722.44 грн |
100+ | 679.77 грн |
250+ | 658.44 грн |
500+ | 616.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5115 InterFET
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції 2N5115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2N5115 | Виробник : MOTO |
![]() ![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N5115 | Виробник : Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N5115 | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N5115 | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2N5115 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115 | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
2N5115 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
товару немає в наявності |
||
|
2N5115 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
|
|
2N5115 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |