
на замовлення 100 шт:
термін постачання 448-457 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3113.24 грн |
100+ | 2850.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5115E3 Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V.
Інші пропозиції 2N5115E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5115E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5115E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
2N5115-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
товару немає в наявності |