
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1135.52 грн |
10+ | 985.63 грн |
25+ | 834.26 грн |
50+ | 787.92 грн |
100+ | 741.57 грн |
250+ | 718.03 грн |
500+ | 672.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5116 InterFET
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 175 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції 2N5116
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2N5116 | Виробник : SIL |
![]() ![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N5116 | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() |
на замовлення 439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N5116 | Виробник : Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N5116 | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2N5116 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5116 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5116 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N5116 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
2N5116 | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 150 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
2N5116 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
|
2N5116 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
товару немає в наявності |