Продукція > INTERFET > 2N5116
2N5116

2N5116 InterFET

jfet-2n5114-2n5115-2n5116-interfet.pdf
Виробник: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 130 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1574.63 грн
10+1182.46 грн
100+855.24 грн
500+762.44 грн
1000+712.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5116 InterFET

Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 175 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.

Інші пропозиції 2N5116

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5116 2N5116 Central Semiconductor Corp 2N5114-5116.PDF Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5116 Microchip Technology 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 Vishay Siliconix 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 MICROCHIP TECHNOLOGY 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 25mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
On-state resistance: 175Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5116 Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5116 Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5116 Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5114-5116.PDF
2N5116
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 124387-lds-0006
2N5116
Виробник: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 2N5114-5116.PDF 124387-lds-0006
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 25mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
On-state resistance: 175Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 lds-0006.pdf
2N5116
Виробник: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 lds-0006.pdf
2N5116
Виробник: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 lds-0006.pdf
2N5116
Виробник: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.