Продукція > MICROSEMI > 2N5179

2N5179 Microsemi


Виробник: Microsemi
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+539.64 грн
10+476.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5179 Microsemi

Description: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO-72, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Gain: 20dB, Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Supplier Device Package: TO-72, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції 2N5179

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5179 MICROSEMI TO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 Microchip Technology RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179
Виробник: MICROSEMI
TO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179
Виробник: Microchip Technology
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.